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최종구 “오픈뱅킹, 세계서 가장 우수한 금융결제 인프라될 것”

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Monday, April 15, 2019, 14:04:51

‘오픈뱅킹 활성화를 위한 세미나’ 참석..“법제도화·빅데이터 활성화 등 시너지 확대 추진”

[인더뉴스 정재혁 기자] 최종구 금융위원장이 금융권 공동 결제시스템인 ‘오픈뱅킹(Open Banking)’ 구축과 관련해 법제도화, 금융결제업 체계 개편, 빅데이터 활성화 등 시너지 확대를 위한 방안을 적극 추진해 나갈 것을 천명했다.

 

최종구 위원장은 15일 서울 중구 은행회관에서 개최된 ‘오픈뱅킹 활성화를 위한 세미나(금융위·금융연구원 주최)’에 참석했다.

 

최 위원장은 축사를 통해 “오픈뱅킹의 첫 단계로 구축되는 공동 결제시스템은 세계에서 가장 우수한 인프라”라며 “이를 통해 혁신적 서비스 출현과 금융산업 전반에 혁신이 촉진될 것으로 기대한다”고 말했다.

 

오픈뱅킹은 제3자에게 은행 계좌에 대한 대한 접근을 허용하고 결제망을 개방하는 제도다. 금융위는 지난 2월 금융지주 간담회를 통해 오픈뱅킹 구축 등을 내용으로 하는 ‘금융결제 인프라 혁신 방안’을 발표한 바 있다.

 

이날 세미나에서는 현재 추진 중인 공동 결제시스템 구축 현황과 오픈뱅킹 관련 국제 동향, 금융산업에 미치는 효과 등을 살펴본다. 또한, 우리나라에 오픈뱅킹을 성공적으로 정착하고, 향후 더욱 활성화할 수 있는 방안에 대한 전문가들의 토론이 이어진다.

 

최 위원장은 오픈뱅킹 추진 배경에 대해 “세계 주요국들이 금융결제 부문 선점을 위해 시스템 개방 등 과감하게 대응 중”이라며 “하지만, 우리나라는 폐쇄적인 시스템으로 인해 혁신적인 금융서비스 출현에 있어 한계가 있었다”고 말했다.

 

최 위원장은 오픈뱅킹이 성공적으로 정착되기 위한 사항으로 ▲시스템 구축 연내 차질없이 완료 ▲혁신적 서비스 개발 노력 ▲충분한 설비 증설 통한 준비 ▲보안 수준·점검 강화 ▲지속적 보완과 유연한 운영 등을 당부했다.

 

마지막으로 최 위원장은 “아무리 좋은 차를 만들어도 고속도로와 같은 인프라가 없으면 제대로 달릴 수 없다”며 “이번 오픈뱅킹 구축으로 새로운 금융의 길이 마련된 만큼, 이를 통해 예상을 뛰어 넘는 혁신적 서비스들이 시장에 넘쳐나기를 기대한다”고 말했다.

 

이어 “정부도 오픈뱅킹 법제도화를 포함해 금융결제업 개편, 빅데이터 활성화 등 시너지 확대 방안들을 추진해 나가겠다”고 덧붙였다.

 

한편, 금융권 공동 결제시스템 구축은 세부내용 확정 후 금융결제원 전산시스템 구축과 각 회사별 준비를 거쳐 연내 시행될 예정이다. 은행권에서는 오는 10월부터 우선 테스트하고, 12월 중 전면 시행한다.

 

금융위 관계자는 “오픈뱅킹 법제도화 및 전자금융법 개편을 위한 전자금융거래법 개정, 빅데이터 활성화를 위한 신용정보법 개정도 적극 추진할 것”이라며 “이밖에 ‘금융결제 인프라 혁신 방안’ 세부과제들도 차질 없이 추진하겠다”고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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