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하나금융, 1분기 당기순이익 5560억...전년比 16.8%↓

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Friday, April 19, 2019, 15:04:51

퇴직비용·환율 등 일회성 비용 발생 영향..하나은행, 당기순이익 4799억원 시현

[인더뉴스 정재혁 기자] 하나금융그룹이 올해 1분기에 5560억원의 당기순이익을 기록했다. 임금피크 퇴직비용과 원화 약세 등으로 인한 손실 등 일회성 비용 증가로 전년 동기에 비해 순익이 16.8%(1126억원) 줄었다.

 

하나금융그룹(회장 김정태)은 올해 1분기에 5560억원의 연결당기순이익을 시현했다고 19일 밝혔다. 이는 지난 분기보다 63.0%(2148억원) 증가한 수치다.

 

임금피크 퇴직비용 1260억원, 원화 약세에 따른 비화폐성 환산손실 382억원 등의 일회성 비용 발생으로 전년 동기에 비해서는 16.8%(1126억원) 감소했다. 다만, 일회성 비용을 제거할 경우 실질적인 당기순이익은 약 6750억원으로 전년 동기(6686억원) 수준을 상회했다.

 

1분기 그룹 핵심이익(이자이익+수수료이익)은 1조 9715억원(이자이익 1조 4266억원+수수료이익 5449억원)으로 전년 동기 대비 2.6%(501억원) 증가했다.

 

이와 관련, 하나금융 관계자는 “시장금리 하락, 신용카드 가맹점수수료 인하 등 시장여건이 어려웠다”며 “그럼에도 기업대출 중심의 양호한 대출자산 성장, 인수자문수수료 증가로 안정적인 이익 기반을 확보해 이익이 증가했다”고 말했다.

 

1분기말 자본적정성과 자산건전성은 안정적인 추세를 지속하고 있다. 그룹의 BIS비율 추정치는 전년말 대비 16bp 하락한 14.77%를 기록했고, 보통주자본비율은 전년말 대비 3bp 개선된 12.89%를 기록했다. 고정이하 여신비율은 전년말 대비 3bp 상승했지만, 전년 동기에 비해서는 14bp 하락한 0.62%를 기록했다.

 

주요 경영지표인 자기자본이익률(ROE)은 전년말 대비 38bp 하락한 8.49%, 총자산이익률(ROA)은 전년말 대비 2bp 하락한 0.59%다. 그룹 연체율은 0.42%로 전년 동기 수준을 유지했다.

 

그룹의 순이자마진(NIM)은 시장금리 하락으로 인해 전분기 대비 5bp 감소한 1.80%를 나타냈다. 1분기말 기준 신탁자산 110조 4000억원을 포함한 그룹의 총자산은 503조 9000원이다.

 

계열사별로는 먼저 KEB하나은행이 1분기 연결당기순이익 4799억원을 시현했다. 이는 전분기 대비 46.2%(1516억원) 증가한 수치다. 1분기 이자이익(1조 3386억원)과 수수료이익(2104억원)을 합한 핵심이익은 전년 동기 대비 4.3%(640억원) 증가했다.

 

1분기말 고정이하 여신비율(NPL비율)은 0.54%로 전년말 대비 2bp 증가했지만, 전년 동기 대비 16bp 개선됐다. KEB하나은행의 신탁자산을 포함한 총자산은 409조원이다.

 

이밖에 ▲하나금융투자 625억원 ▲하나카드 182억원 ▲하나캐피탈 245억원 ▲하나생명 70억원 ▲하나저축은행 41억원의 1분기 연결당기순이익을 각각 시현했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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