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동국제약, 1000억원 규모 생산설비 투자 계획 발표

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Wednesday, May 15, 2019, 15:05:38

1분기 매출 1105억원·영업이익 145억원..전년比 각각 19.2%↑·13.9%↑
“시설 투자로 해외시장 개척·고용창출을 통한 건전한 성장 지속할 것”

인더뉴스 김진희 기자ㅣ “시설 투자를 통해 미래 성장동력을 확보하고, 향후 해외시장 개척은 물론 고용창출을 통한 건전한 성장을 지속하는 것이 목표입니다.”

 

15일 동국제약(대표이사 오흥주)은 1분기 매출 실적과 함께 미래 성장동력 확보와 해외시장 개척 등 지속적 경쟁력 강화를 위한 1000억원대 시설 투자 계획을 발표했다. 

 

이날 공시된 동국제약의 1분기 보고서(연결재무제표 기준)에 따르면, 매출액은 1105억원으로 전년동기 대비 19.2% 증가했으며, 영업이익은 145억원으로 전년 대비 13.9% 증가했다. 

 

사업부별로는 일반의약품 부문이 16%, 전문의약품 부문이 15%, 헬스케어사업 부문이 33%, 자회사 동국생명과학이 13% 성장했다. 

 

동국제약 관계자는 “이 같은 성장은 모든 사업부와 동국생명과학의 기존 제품들의 고른 성장과 함께 신제품들의 매출 호조가 동반되었기 때문으로 분석된다”고 말했다. 

 

동국제약은 성과 지속을 위해 향후 3~4년에 걸쳐 1000억원 이상의 다양한 투자를 단행한다는 방침이다. 같은 맥락에서 동국제약은 지난해 한 해 동안 천연물 추출 공장 등에 300억원 규모의 투자를 이미 진행한 바 있다. 

 

동국제약은 올해와 내년까지 시설 확충을 위해 250억원을 추가로 투자하기로 했으며 API(원료의약품) 공장 설비를 증설, 테이코플라닌과 댑토마이신, 히알루론산의 생산량을 지속적으로 늘려 나갈 계획이다. 

 

아울러 펩타이드 제제 신제품과 기존 동결건조제 등 분말 주사제 공장을 신축하고, 프리필드와 필러 제품의 자동화 라인에 투자해 EU-GMP 수준의 최신 시설을 통한 우수한 품질의 제품라인을 확보해 나간다는 구상이다. 

 

동국제약은 “시장요구에 선도적으로 대응함으로써, 제조원가 개선을 통한 경쟁력을 확보해 수출 시장도 더욱 확대해 나갈 것”이라고 설명했다. 

 

동국제약은 해외 바이오 업체와의 전략적 제휴를 통한 CMO 비즈니스 진출, 신규 원료·신약의 해외시장 수출 확대, 오픈 이노베이션을 통한 신규 비즈니스 개발 등 신성장 동력을 지속적으로 모색중이다.

 

이와 함께 동국생명과학도 향후 3년 동안 API 공장 증설·제조시설 선진화, 신규 제품 연구 등을 위해 500억원대 규모의 투자를 계획하고 있다.

 

동국제약 관계자는 “시설 투자를 통해 미래 성장동력을 확보, 향후 해외시장 개척은 물론 고용창출을 통한 건전한 성장을 지속하는 것이 목표다”고 말했다.

 

이어 “기업의 이익으로 다시 건강한 투자를 함으로서 고객들에게 좋은 제품과 서비스를 제공, 궁극적으로 사회발전에 기여하는 것이 회사의 경영이념”이라고 강조했다.

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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