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LG유플러스, 자체 셀 설계로 5G 품질↑

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Friday, May 17, 2019, 09:05:24

5G 망에 적합한 전파모델 개발해 기존 LTE 방식과 비교 테스트
시험 결과 기지국 수 같아도 커버리지 향상..지역에 맞춰 설계

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ LG유플러스가 자체 셀 설계로 5세대 이동통신(5G) 커버리지 품질을 높인다.

 

LG유플러스는 5G 네트워크 품질을 확보하고자 5G망에 가장 적합한 전파모델을 개발해 기존 LTE 설계 방식과 비교 테스트를 진행했다고 17일 밝혔다.

 

자체 전파모델이 적용된 셀 설계에 기반해 서울 종로지역에서 5G 속도와 커버리지를 측정한 결과, 기존과 같은 기지국 수에도 서비스 커버리지가 넓어진 것으로 확인됐다.

 

검증 결과, 균등한 속도가 제공되는 커버리지는 LTE 방식으로 기지국을 설치했을 때 90% 수준이었다. 반면 고유 전파모델을 활용한 셀 설계 방식을 적용하면 95%로 늘어났다.

 

5G 장비 위치와 안테나 방향 각을 설정하는 셀 설계가 중요한 이유는 5G가 LTE보다 주파수 대역이 높고 전파 감쇄가 많아 커버리지 형성이 상대적으로 어렵기 때문. 기지국 신호가 안테나 단위로 전달되는 통화영역인 셀을 어떻게 설계하느냐에 따라 품질이 달라질 수 있다.

 

또한 5G 장비는 서비스 방향각이 LTE 안테나보다 크다. LTE 안테나와 같은 곳에 5G 장비를 설치하면 상호 간섭이 일어나 서비스 품질을 낮춘다. 따라서 전파 에너지를 빔 형태로 집중시키는 빔포밍 기술을 활용해 정교한 셀 설계가 필요하다.

 

LG유플러스는 세계적으로 가장 많이 사용하는 셀 설계 툴(Atoll)로 자체 전파모델을 개발해 5G망을 구축하고 있다.

 

이번에 적용한 4가지 고유 전파모델은 기지국이 있는 지역 특성에 맞춰 설계했다. ▲고층빌딩 밀집지역에 맞춘 댄스어반(dense urban) ▲일반 도심지용 어반(urban) ▲중소도시 대상인 서브 어반(sub urban) ▲도심외곽 지역 대상 루럴(rural)등이다.

 

윤오한 LG유플러스 Access담당은 “단순히 LTE 기지국 위치에 5G 기지국을 구축하는 기존 설계방식에서 벗어나 최적 위치에 네트워크를 설치하는 방식”이라며 “비용 절감, 통화 품질 지역 차이 제거, 커버리지 조기 확대가 가능하다”고 말했다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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