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KT, 융합보안실증센터 개소..IoT 보안 강화

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Wednesday, May 22, 2019, 10:05:39

경기 과천 KT과천타워에 마련..단말 자체 보안성 검증

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ 5세대 이동통신(5G)과 사물인터넷(IoT) 시대에 늘어나는 보안 위협에 대비해 이동통신사가 자체 보안센터를 차렸다. 네트워크 보안에 더해 단말 보안도 높이겠다는 취지다.

 

KT는 22일 단말 보안성을 검증하고 최신 보안 취약점을 시험할 수 있는 ‘융합보안실증센터’를 열었다고 이날 밝혔다. 센터는 경기 과천시 KT과천타워에 마련된다.

 

‘초연결’로 대표되는 5G가 일상화되면 네트워크로 연결되는 기기들도 대폭 늘어날 전망이다. 가전제품부터 공장기계나 도로 설비까지 이러한 IoT 시설은 스마트 팩토리·스마트 시티 규모로 확장될 수 있다.

 

이러한 환경에서 연결된 IoT 단말은 해킹과 DDoS공격 등 많은 보안 위협에 노출되므로 네트워크 보안뿐만 아니라 단말 자체 보안도 중요시되고 있다.

 

KT가 이번에 융합보안실증센터를 개소한 이유는 사전에 보안성이 검증된 IoT 단말을 사전에 검증하겠다는 목적에서다. 센터에서는 중소기업 제품을 포함한 유·무선 IoT 단말 설계·출시 이전 단계에서부터 보안 검증을 수행할 수 있다. 

 

이를 위해 IoT 분야의 전문적인 단말 보안 검증 환경을 구축하고 체계적인 단말 보안 검증을 수행한다.

 

단말 보안 검증 환경도 고도화했다. 보안 취약점을 자동으로 검증하는 솔루션 ‘기가 시큐어 봇(GiGA Secure Bot)’을 개발해 더욱 체계적으로 검증을 수행할 수 있다. 이 솔루션은 일반 보안기능 검증부터 권한 탈취, 정보 유출, 단말 원격조정 등 보안취약점을 자동으로 검출한다.

 

또한 기가 시큐어 봇을 지난해 KT가 개발한 빅데이터 기반 지능형 보안플랫폼 ‘기가 시큐어 플랫폼(GiGA Secure Platform)’과 연동한다. 네트워크에서 발생하는 최신 IoT 보안위협정보를 자동으로 수집하고 검증할 수 있도록 할 계획이다.

 

아울러, KT는 융합보안실증센터에 전시 공간을 구성해 방문객에게 최신 보안 위협 사례를 직접 체험해 볼 기회를 제공하고 다양한 KT 보안 서비스를 소개한다.

 

‘보안 위협 체험존’에서는 스마트홈, 프린터, IP 카메라 등에서 일어나는 해킹을 시연한다. 또한 다양한 산업과 서비스 분야에서 보안을 강화할 수 있도록 대응 기술과 가이드를 제공할 예정이다. ‘정보 보안 서비스’존에는 ‘기가 스텔스(GiGA Stealth)’ 등 KT 보안 서비스를 전시한다.

 

권혜진 KT INS운용센터장 상무는 “자율주행이나 원격의료 등 다양한 분야에 IoT 단말이 적용 되는 5G시대에는 보안성 강화가 필수”라며 “이번에 오픈한 융합보안실증센터를 거점으로 IoT 단말 보안을 강화해 안전하고 신뢰도 높은 서비스를 제공할 것”이라고 말했다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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