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서울시, ‘돈화문로 일대 활성화’도시재생 주민공모사업...총 3억원 지원

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Wednesday, May 22, 2019, 10:05:54

사업대상지 내 주민 및 비영리단체 등 신청가능...일반공모·기획공모 2부문 모집
종로구 운니동에 새롭게 단장한 주민소통방에서 접수 및 수시 공모사업 안내

 

인더뉴스 진은혜 기자ㅣ 서울시가 돈화문로 일대를 활성화하기 위해 도시재생 주민공모사업을 실시한다. 해당 사업에 선정된 주체는 지역 자원을 활용해 지역에 생기를 더하는 아이디어를 실행하게 된다.

 

서울시가 ‘2019년 주민공모사업’을 실시한다고 22일 밝혔다. 창덕궁 앞 도성한복판 도시재생활성화지역 내 주민참여를 확대하고 역량을 강화하기 위해서다. 올해 총 지원 금액은 3억원으로 사업별로 최대 1천 5백만 원을 지원한다.

 

시는 ▲지역공동체 활성화를 위한 홍보·교육·이벤트·커뮤니티 형성 등 지역공동체 활성화를 위한 일반공모사업 ▲지역자원 등을 활용한 전시·발표·축제 등 산업·문화예술·관광 활성화를 위한 기획공모 등 2개 분야로 접수해서 참여자를 선정할 계획이다.

 

창덕궁 앞 도시재생활성화구역 내 산업·문화예술·관광 등 지역산업 활성화를 위한 ‘기획공모’ 사업으로 선정되면 지역의 역사·문화적 자원을 활용한 전시·발표·축제프로그램 등 지역에 활력을 더하는 아이디어를 실시하게 된다.

 

사업대상지 내 거주민, 생활권(직장, 학교 등)을 영유하는 주민·대학생·비영리단체·문화예술활동가 등 3명 이상(단체)이면 누구나 신청 할 수 있다. 시는 해당 부문에 최대 1500만원(자부담 10%)을 지원한다.

 

창덕궁 앞 도시재생활성화구역 내 지역공동체 활성화를 위한 ‘일반공모’ 사업에는 홍보·교육·이벤트·커뮤니티 형성을 위한 프로그램 등의 아이디어에 최대 500만원(자부담 10%)을 지원할 계획이다.

 

또한 서울시는 이번 공모사업에 참여하는 주민(단체)들의 실무적 어려움을 해소하고자 운니동 소통방 주민지원활동가가 참여자(단체)들을 지원할 예정이다.

 

운니동 주민소통방은 공모사업 설명 및 안내를 위해 사업계획 공고일로부터 6월 17일 제안서 접수일까지 단계별 컨설팅을 운영해 참여자(단체)를 지원할 방침이다.

 

대상지 내 주민 또는 비영리단체 등이라면 이번 공모를 신청할 수 있다. 1개 단체에 1개 사업만 지원한다. 필요한 서류는 지원신청서(제안서), 모임(단체)소개서, 사업계획서 및 기타 제출자료 등 각 1부씩이다.

 

참가 희망자는 사업신청서(제안서), 사업계획서 등 관련 서류를 구비해 6월 13일~17일 창덕궁 앞 역사인문재생지역 내 운니동 소통방을 직접 방문하거나 우편 또는 이메일(revcity2019@naver.com)로 접수하면 된다.

 

심사는 ▲1차 서면(적격성) 심사(6.20~21) ▲2차 면접 심사(6.24~28) ▲3차 최종 선정심의회(7.1~5) 순으로 진행된다. 사업의 필요성 및 실현 가능성, 사업준비도 및 자부담사업비 확보율, 주민참여 확산 및 지역경제 활성화 기여도, 공공성 등을 고려해 최종 선정할 계획이다.

 

선정결과는 7월 9일 발표할 예정이다. 최종 선정자는 7월 중 시와 협약을 체결하고 사업비를 교부받아 12월 말까지 사업을 진행하게 된다.

 

강맹훈 서울시 도시재생실장은 “400년 역사가 압축된 한양도성 한복판에 위치한 창덕궁 앞 일대를 재생해 역사성을 살리고 지역경제에도 활력을 불어 넣겠다”며 “주민공모사업을 통해 주민의 목소리가 도시재생사업에 충실히 반영될 수 있도록 최선을 다할 것”이라고 말했다.

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진은혜 기자 eh.jin@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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