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30일부터, 일방과실(100:0) 인정기준 33개로 확대

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Monday, May 27, 2019, 14:05:05

자전거도로, 회전교차로 등 과실비율 기준도 신설·변경

 

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 피해자가 예측·회피하기 어려운 자동차사고에 대해 가해자 일방과실이 적용되도록 과실비율 인정기준이 늘어난다. 또한 자전거 전용도로 등 최근 설치된 교통시설물에 대한 과실기준을 명확히 하는 등 과실기준 공백을 줄였다.

 

27일, 금융당국이 발표한 ‘자동차사고 과실비율 인정기준 등 개선안’에 따르면 오는 30일부터 일방과실(100:0) 적용확대로 가해자의 책임성이 강화된다. 현행 기준에 따르면 차대차 사고 과실비율 기준(총 57개) 중 일방과실 기준은 9개에 불과하다.

 

이로 인해 피해자가 피하기 불가능한 사고의 경우 보험사가 쌍방과실을 유도한다는 소비자 불만이 지속됐다. 앞으로는 이러한 사고 등에 대해 일방과실로 인정하는 기준이 신설(22개)·변경(11개)된다.

 

예를 들어 동일 차로 뒤에서 주행하던 B차량이 근접거리에서 중앙선을 침범해 전방 A차량을 급하게 추월하다가 발생한 추돌사고는 현행에선 A:B 과실비율이 20:80이었다면 이제는 0:100으로 추월 차량에게 일방과실을 적용한다.

 

 

자전거도로, 회전교차로 등 변화하는 도로교통 환경에 부합한 과실비율 기준도 신설(12개)·변경(1개)된다. 자전거 전용도로를 침범한 B차량이 A자전거와 부딪힌 사고의 경우 현행에선 과실비율이 정해져있지 않지만 개정안에서는 A:B의 과실비율은 0:100으로 적용하는 식이다.

 

최신 법원 판례 경향과 법령 개정사항과 맞지 않았던 과실비율 인정기준도 신설(20개)·변경(7개)했다. 최근 법원 판례가 과실비율 인정기준과 달라 기준에 대한 신뢰성이 저하된 것에 따른 조치다. 아울러 소방기본법과 도로교통법 등 관계법령의 개정과 관련된 사항도 반영했다.

 

현행에선 과실비율 분쟁심의위원회의 심의의견을 받을 수 없었던 동일 보험사 간 사고, 자기차량손해담보 미가입 차량 사고에 대해서도 앞으로는 받을 수 있게 된다. 당국은 이로 인해 소비자 편익 제고와 소송비용 절감 등의 효과가 있을 것이라고 내다봤다.

 

개정된 과실비율 인정기준은 오는 30일부터 시행된다. 개정 내용을 설명하는 동영상과 애니메이션은 손해보험협회에서 인터넷(유투브 등)에 게시해 홍보할 예정이다.

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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