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황창규 KT 회장, 美 폼페이오 장관 등에 5G 글로벌 협력 제안

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Thursday, June 06, 2019, 11:06:54

3~5일 네덜란드 헤이그에 위치한 ‘월드포럼(World Forum)’서 미래산업 5G 주제 대표연설

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 황창규 KT 회장이 3~5일(이하 현지시간) 네덜란드 헤이그에서 열린 글로벌 기업가정신 정상회의(GES) 2019에 참석했다. 이번 회의에서 황 회장은  ‘미래산업, 5G(Industries of the Future, 5G)’를 주제로 대표연설을 했다. 

 

GES(Global Entrepreneurship Summit)는 기업가, 창업가, 벤처투자가, 비영리기관, 정부 관계자들이 모여 세계가 직면한 문제를 토론하고, 혁신방안을 논의하는 행사다.  

 

미국이 2010년에 시작했으며, 올해 9회째 열린 GES 2019는 미국과 네덜란드가 ‘미래가 지금이다(The Future Now)’를 주제로 공동 주최했다.

 

황창규 회장은 미국 국무부와 네덜란드 정부의 초청을 받아 참석했다. 특히 황 회장은 GES 2019에서 기조연설을 통해 “5G 혁신을 위해 각국 정부의 협조와 전 세계 기업들의 협력이 필요하다”고 강조했다. 

 

또한 폼페이오 장관 등 글로벌 리더들에게 세계 최초 5G 상용화 성과를 설명하고, 긴밀한 협력을 요청했다. 

 

GES 2019는 전 세계 약 2000명이 참석했으며, 5대 어젠다(연결성, 에너지, 헬스, 식량, 물)를 중심으로 총 56개 세션이 진행됐다. 황창규 회장은 미래산업 3개분야(5G∙AI∙제조)중 5G를 주제로 한 세션에서 대표연설한 것이다. 

 

이번 연설에서 황창규 회장은 4월 3일 한국에서 세계 최초로 5G를 상용했으며, 가입자가 급속히 증가하고 있다고 소개했다. 

 

황 회장은 “KT는 평창에서 세계 최초로 5G 서비스를 선보이는 등 5G 조기 상용화를 위해 노력해  5G는 LTE에 비해 21개월 빨리 표준화가 이뤄졌다”며 “5G는 B2C보다 B2B 영역이 더 클 것인데 KT는 수많은 B2B 협력사례 보유하고 있다”고 설명했다. 

 

황창규 회장은 5G가 인류 공동번영에 기여하기 위해 이종산업간 협력과 융합, 정부의 지원, 5G 생태계 조성 동참의 3가지 방안을 제안했다. 

 

한편, 황창규 회장은 이번 GES에 참석한 글로벌 리더들에  5G 상용화 성과를 설명하고, 글로벌 5G 협력을 위한 지원을 요청했다. 지난 3일 미국 폼페이오 장관에 이어 네덜란드 스테프 블록(Stef Block) 외교부 장관, 시그리드 카그(Sigrid Kaag) 국제통상개발협력부 장관 등에 전달했다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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