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KT, 에릭슨·노키아와 5G 협력 강화...기술적 우위 선점

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Friday, June 14, 2019, 14:06:45

에릭슨과 4T4R 기지국 장비 개발 협력..저렴한 가격으로 커버리지 구축
노키아와 28GHz 밀리미터파(mmWave) 대역에서 5G 상용화 장비 검증

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ 세계적인 통신 장비 제조사와 KT가 손잡고 5G 기술 고도화에 나선다. 커버리지를 결정짓는 기지국 장비 개발과 차세대 주파수 관련 협업으로 기술적 우위를 선점한다는 전략이다.

 

KT가 글로벌 통신장비업체인 에릭슨·노키아와 각각 ▲5G 장비 개발 ▲28GHz 밀리미터파 주파수 대역 활용 분야 협력을 강화하기로 했다고 14일 밝혔다.

 

우선 KT는 지난 13일 스웨덴 시스타(Kista) 에릭슨 연구소에서 에릭슨과 함께 새로 개발한 5G TDD 4T4R RU(Remote Unit·기지국) 장비 기술을 시연하고 세계 최초로 4T4R 기지국을 5G 상용망에 적용하는 데 성공했다.

 

기존 5G 기지국은 많은 안테나 배열을 사용하는 AAS(Active Antenna System) 기반이다. 전송속도가 빠르고 커버리지가 넓은 대신 가격이 비싸 외곽지역 커버리지 구축에 걸림돌이었다.

 

KT는 에릭슨과 지난해 4월부터 4T4R 기지국 개발을 시작했다. 이 장비는 복잡한 AAS 기술이 적용되지 않아 기존 기지국 장비보다 비용면에서 효율적이다.

 

KT와 에릭슨은 지난 3월 세계 최초로 4T4R 기지국 장비를 상용망에 적용하고 약 3개월 동안 문제점을 보완하는 성능 고도화를 진행하며 안정적인 성능을 확보했다. 그리고 이번 시연에서 4T4R 장비를 써도 5G 서비스를 안정적으로 제공할 수 있음을 실증했다.

 

KT는 향후 도심에 설치된 AAS 기반 RU 장비 성능 고도화와 외곽 지역 5G 네트워크 구축에 4T4R 기지국 장비를 투입해 전국 5G 커버리지를 빠르게 확대해 나간다는 계획이다.

 

아울러 KT는 지난 12일 핀란드 에스푸(Espoo) 노키아 본사에서 노키아와 ▲28GHz 밀리미터파(mmWave) 대역에서 5G 상용화 장비 검증 ▲밀리미터파와 연관된 기술적 난제를 극복 등을 협력하기로 했다. 두 회사는 공동 태스크포스(TF)를 발족해 기술 협력을 추진한다는 계획이다.

 

현재 국내에서는 3.5GHZ 대역에서 5G 상용서비스를 제공하고 있다. 밀리미터파 주파수 대역에서는 지금보다 거리나 장애물로 인한 전파 손실이 증가한다. 

 

이미 KT는 3GPP 5G 국제 표준 제정보다도 약 1년 앞선 2016년 해외 제조사들과 협력해 세계 최초 5G 공통 규격인 ‘평창 5G 규격’을 만들었다. 이에 기반한 장비와 단말로 지난 2018 평창동계올림픽에서 28GHz 5G 시범 서비스를 제공했다. 

 

KT는 이번 노키아와 협력으로 기술 분야 리더십을 강화할 계획이다. 현재 서비스 중인 3.5GHz 대역 5G 네트워크와 28GHz 기반 네트워크가 상호보완적으로 설계되면 밀리미터파 대역에서 넓은 주파수 자원을 활용해 서비스가 업그레이드 될 것으로 기대하고 있다.

 

이수길 KT 네트워크연구기술지원단장 상무는 “KT는 이번 5G 기술 협력으로 5G 분야 기술적 우위를 강화할 수 있는 계기를 선점했다라”며 ”비용 효율적 커버리지 기술과 밀리미터파 대역을 상용망에 조기 적용해 5G 서비스 경쟁력을 유지해 나가겠다”고 말했다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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