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런정페이 화웨이 회장 “매출 타격 인정...이후 더 강해질 것”

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Monday, June 17, 2019, 21:06:26

중국 매체 주최 TV 대담 출연..매출액 1000억 달러 이하로 감소 인정
스마트폰 해외 출하량 40% 줄어들 수 있어..연구개발비 감축은 없어

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ 미국이 주도하는 ‘화웨이 때리기’가 가시적 충격을 일으키고 있다. 최근 노트북 ‘메이트북’ 출시를 취소하고 폴더블폰 ‘메이트X’ 출시를 예정됐던 6월에서 9월로 미룬 화웨이가 공식적으로 매출 타격이 불가피함을 시인했다.

 

17일(현지 시각) 화웨이 창업자인 런정페이(任正非) 최고경영자(CEO)는 중국 광둥성 선전 화웨이 본사에서 중국 글로벌 텔레비전 네트워크(China Global Television Network)가 주최한 TV 대담에 출연해 “올해와 내년 매출액이 1000억 달러 이하로 떨어질 것”이라고 말했다.

 

이는 지난해 매출 1070억 달러보다 다소 줄어든 규모다. 런정페이 CEO는 앞서 올해 매출 목표를 1250억 달러로 예측한 바 있다. 올해와 내년을 합해 2년 동안 약 300억 달러가량 매출이 줄어드는 셈이다.

 

공급 제한에 대응하고자 사업을 재조정하고 생산 규모를 줄일 가능성도 있다고 답했다. 런정페이 CEO는 “미국 정부가 그토록 광범위한 조치로 화웨이를 막을 것이라는 생각은 하지 못했다”며 “우리는 사업 크기를 줄일 수도 있다”고 말했다.

 

또한 화웨이 해외 스마트폰 출하량이 40% 감소할 수 있다고 말했다. 이는 앞서 시장조사업체 푸본리서치와 스트래티지 애널리틱스(SA) 등이 미국 제재가 계속될 경우 올해 화웨이 스마트폰 출하량이 최대 24% 감소할 것이라는 전망보다 큰 수치다.

 

SA에 따르면 지난해 기준 화웨이 스마트폰 판매 비중은 중국 등 아시아가 60.5%를 차지하며 나머지는 유럽과 남미에서 판매한다. 북미 비중은 0.5% 수준으로 미미하다. 다만 런정페이 CEO는 중국 사업이 건재함을 강조했다.

 

이러한 어려움에도 사업부 매각이나 연구개발비 감축은 없다고 설명했다. 런정페이 CEO에 따르면 화웨이는 향후 5년 동안 통신 인프라 연구개발과 유럽 데이터 보호 표준 충족에 1000억 달러를 투자할 계획이다.

 

화웨이는 세계 최대 통신 장비 제조사이며 스마트폰 업계 2위를 자랑하는 거대기업이다. 미국 월스트리트저널에 따르면 지난해 기준으로 화웨이는 부품 조달 예산으로 700억 달러를 썼다. 이 중 110억 달러를 미국 업체에서 공급받는데 지불했다.

 

그만큼 화웨이가 휘청일수록 미국 기업들이 받는 피해도 커지고 있다. 지난 13일 미국 브로드컴은 올해 매출이 예상보다 20억 달러 줄어들 것이라고 발표했다. 지난해 브로드컴은 화웨이에 통신칩 등 9억달러어치를 팔았다.

 

런정페이 CEO는 “화웨이가 이 길을 걷고 나면 더 강해질 것”이라며 “이것들이 우리의 전진을 멈출 수 없다”고 말했다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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