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[종합] 파업 전운 짙어지는 한국지엠...노사갈등 원인은 ‘교섭장소’

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Thursday, June 20, 2019, 17:06:58

노조, 쟁의행위 찬반투표 가결..중노위 판단 따라 파업 가능
勞 “장소 핑계로 교섭 회피”..使 “교섭장 안전 확보가 최우선”

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ 신차를 잇따라 내놓고 경영정상화에 속도를 내던 한국지엠이 올해도 노사분규를 피하지 못했다. 교섭 장소를 놓고 사측과 대립 중인 노조는 결국 쟁의행위 찬반투표를 가결시키며 파업절차에 들어갔다. 현재 교섭을 위한 노사 상견례는 물론 중앙노동위원회의 조정결과도 나오지 않은 상태다.

 

전국금속노동조합 한국지엠지부는 2019년 단체교섭에 관한 쟁의행위 찬반투표 결과 74.9%로 가결됐다고 20일 밝혔다. 총 8055명의 조합원 가운데 6835명(84.9%)가 투표에 참여했고, 총 6037명이 찬성표를 던졌다. 반면 반대표는 785표에 그쳤다.

 

노조 관계자는 “향후 대의원대회를 소집해 구체적인 투쟁 수위를 논의할 것”이라며 “이번 찬반투표는 안전을 핑계로 교섭을 피하고 있는 카허 카젬 사장 등 사측을 압박하기 위한 것”이라고 말했다.

 

앞서 노조는 지난 13일 중노위에 쟁의조정을 신청했고, 이르면 오는 24일쯤 결론이 날 것으로 보인다. 이미 조합원 찬반투표가 통과됐기 때문에 중노위의 ‘조정 중지’ 결정이 떨어지면 노조는 즉각 합법적인 파업에 나설 수 있다.

 

올해 교섭 장소를 놓고 입장차를 좁히지 못하고 있는 노사는 아직 상견례조차 열지 못했다. 노조는 기존 부평공장 복지회관 LR대회의실을 고집하고 있지만, 사측은 안전확보를 이유로 부평공장 본관 서울룸을 주장하고 있는 상황이다.

 

노조 출범 이후 지난 30여년 간 교섭장소로 써온 곳을 사측이 거부하는 이유는 혹시 모를 폭력사태 때문이다. 지난해 5월 비정규직 조합원들이 카허 카젬 사장실의 집기를 훼손한 데 이어 10월에는 법인분리에 반발한 조합원들이 사장실을 점거하기도 했다.

 

이에 따라 카젬 사장은 신변 안전을 위해 LR대회의실을 선호하지 않는 것으로 알려졌다. 이곳은 출입문이 한 곳밖에 없어 유사(有事)시 빠져나오기 힘들기 때문이다. 특히 카젬 사장은 글로벌 GM의 기조에 따라 사업장과 직원의 안전을 최우선으로 생각하고 있다는 게 한국지엠 관계자의 설명이다.

 

반면 노조 측은 이 같은 사측의 주장에 대해 ‘교섭 회피를 위한 핑계’라고 맞서고 있는 상황이다. 지금까지 별 탈 없이 써온 교섭장의 안전을 문제 삼는 것은 다른 의도가 있다는 주장이다.

 

당성근 한국지엠 노조 교육선전실장은 이날 인더뉴스와의 통화에서 “사측이 제안한 장소는 너무 좁아 40명의 노사 교섭위원들이 일렬로 앉을 수 없다”며 “특히 지금까지 교섭장에서 폭력사태가 일어난 적도 없어 사측의 주장은 핑계”고 말했다.

 

반면 사측은 교섭장 변경 요구는 핑계가 아닌 ‘안전 확보’에 있다는 점을 분명히 했다. 한국지엠 관계자는 “장소를 핑계로 교섭을 피하고 있다는 노조 측 주장은 사실이 아니다”라며 “경영정상화와 판매회복이 절실한 상황인 만큼 하루빨리 교섭이 진행돼야 할 때”라고 반박했다.

 

이처럼 양측의 입장차가 좁혀지지 않는 가운데 중노위의 최종 판단이 중요해진 상황이다. 조정 중지 결정이 내려지면 노조는 파업에 나서게 되지만, 조정이 이뤄지면 행정지도를 통해 근로감독관을 파견하거나 다른 교섭장소를 제안할 수도 있다.

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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