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“약관 등 기초서류 위반 보험사에 과징금 4배 인상”

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Wednesday, August 16, 2017, 12:08:00

금융위, 위반행위 죄질 고려한 부과기준율 도입..자진신고·내부통제시스템 따른 감경비율 인상

[인더뉴스 정재혁 기자] 보험약관 등 보험사의 기초서류 준수의무 위반 때 부과되는 과징금 규모가 기존보다 평균 4배 가량 올라간다. 위반 행위의 동기와 결과가 중대할수록 더 많은 과징금이 부과되도록 변경된다. 다만, 보험사가 위반행위를 자진신고하거나 내부통제시스템을 갖췄을 경우에는 과징금이 줄여준다.

금융위원회(위원장 최종구)는 ‘보험회사 기초서류 관련 의무위반에 대한 과징금 부과 기준’ 규정변경을 16일 예고했다. 이는 지난 2015년 9월 ‘금융분야 제재개혁 방안’으로 11개 주요 금융법이 개정된 데 따른 것이다. 기초서류에는 약관, 사업방법서, 보험료·책임준비금 산출방법서 등이 포함된다.

이 중 보험업법에서는 기초서류 준수 의무 위반 때 과징금 부과 한도를 해당 계약 수입보험료의 50%(기존 20%)로 상향하는 내용이 담겼다. 금융위는 제재개혁 관련 하위법령 정비의 일환으로 이번에 규정 변경을 추진하게 됐다.

먼저, 과징금 부과 계산에 들어가는 ‘기본부과율’을 폐지하고 대신에 ‘부과기준율’을 도입한다. 현행 과징금 부과액은 ‘법정부과한도액(위반금액×부과비율)’에 기본부과율을 곱한 ‘기본과징금’에다가 가중·감경액을 합한 액수다. 이때, 기본부과율은 법정부과한도액이 커질수록 줄어든다.

개정안은 기본부과율을 폐지하는 대신, 그 자리에 법령 위반의 중대성을 고려하는 부과기준율을 넣어 최종 과징금 부과액을 산출한다. 부과기준율은 위반행위의 결과(매우중대·중대·중대성 약)와 위반 동기(고의·과실)를 감안해 산정표에 따라 25%~100% 범위에서 결정된다.

또한, 보험사의 자진신고와 내부통제시스템 여부 등에 따라 과징금 감경 비율을 인상한다. 자진신고 감경 비율은 기존 20%에서 30%로, 내부통제시스템을 갖추고 있을 경우에는 20%에서 50%로 각각 인상한다. 이 밖에 최종 과징금이 부당이득의 10배를 초과하면서 금융위가 특별히 인정하는 경우, 초과액 감액이 가능하다.

금융위는 기초서류 준수위반에 대한 과거 과징금 부과 36건에 대해 이번 개정안을 적용한 시뮬레이션을 진행했다. 그 결과 보험사 위반 건당 과징금 부과금액이 평균 4배 가량 인상되는 것으로 나왔다.

손주형 금융위 보험과장은 이번 개정안에 대해 “보험사의 기초서류 준수 관행 정착을 통한 보험 소비자 권익보호가 강화됐다”며 “특히, 금융민원 중 큰 비중을 차지하는 보험금 산정·지급 등 기초서류 준수 관련 민원이 축소될 것으로 기대한다”고 말했다.

규정 변경예고 기간은 이달 16일부터 내달 5일까지 20일간이다. 규제개혁위원회와 금융위 협의를 거쳐 오는 10월 19일부터 적용되며, 바뀐 규정 적용 전 위반행위에 대해서는 기존의 규정에 따라 과징금을 부과하기로 했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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