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‘음주운전 할증 피하기 꼼수’..걸리면 50% 특별 할증 적용

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Thursday, August 17, 2017, 12:08:00

금감원, 음주운전 때 받는 車보험 불이익 7가지 소개..“음주운전 차량 동승자 보험금 40% 감액”

[인더뉴스 정재혁 기자] #. 직장인 A씨는 음주운전을 하다가 행인이 다치는 사고를 냈다. A씨는 자동차보험료 할증을 피하기 위해 이듬해 자동차보험 갱신 때 아내 명의로 바꿔 가입했지만, 오히려 50%의 특별 할증을 적용받았다. 만약, A씨가 본인 명의로 가입했다면 최대 20%의 할증만 부담하면 됐다.

A씨처럼 음주운전으로 사고를 일으켰거나 행정처분을 받은 보험가입자가 할증을 피하려고 ‘꼼수’를 부리다가는 큰 코 다친다. 보험료 할증을 피하기 위해 기명피보험자를 다른 사람으로 바꿔 자동차보험을 갱신하면, 보험료가 최대 50%만큼 할증될 수 있다.

금융감독원(원장 진웅섭)은 위 A씨의 사례를 비롯해 ‘음주운전자가 받게 되는 자동차보험 불이익 7가지’를 17일 소개했다. 이는 금감원이 선정한 실용금융정보(금융꿀팁) 200가지 중 62번째 주제다.

‘음주운전’이란 도로교통법에서 정한 술에 취한 상태(혈중알코올농도 0.05% 이상)에서 운전하거나 음주측정에 불응하는 행위를 말한다. 혈중알코올농도 0.05%는 평균적으로 소주 2잔, 양주 2잔, 포도주 2잔, 맥주 2잔 정도를 마시고 1시간이 지나 측정되는 수치다.

음주운전은 20·30대 운전자 자동차보험 사고원인 1위이며, 지난해 음주운전으로 인한 자동차보험 대인피해 액수는 1554억원, 대물피해는 1076억원이 발생했다. 또한, 음주운전 경력자의 13.6%가 2회 이상 음주운전을 반복하는 것으로 드러났다.

음주운전 때 자동차보험에서 받는 불이익은 기본적으로 보험료 할증이다. 1회 적발 때 10%, 2회 이상일 때는 20%까지 보험료가 오른다. 위 A씨의 사례와 같이 할증을 피하기 위해 기명피보험자를 변경했다가 걸리면 30%의 특별 할증이 추가될 수도 있다.

음주운전 중 사고를 내면 보험에 가입돼 있더라도 자기 부담금을 최대 400만원까지 부담해야 한다. 음주사고로 인해 피해자가 사망 또는 부상한 경우 사고 1건당 300만원, 피해자의 차량 등 대물 파손에 대해서는 100만의 사고부담금을 보험사에 각각 납부해야 한다. 

음주운전 차량의 동승자는 사고를 당해도 보험금을 다 받을 수 없으니 유의해야 한다. 전체 산정된 보험금의 40%만큼 감액된 금액만 보상받을 수 있고, 동승과정에서 기타 과실(운전자 과속, 졸음운전 방치 등)이 인정되면 10%~20%까지 추가로 보험금이 감액된다. 

이밖에 음주운전 사고는 자기차량손해 담보(사고 때 본인 과실로 인한 손해 보장)로 보험처리가 불가하며, 형사합의금이나 벌금 등 사고처리 비용을 보장하는 특약에서도 보험금을 받을 수 없다. 음주운전 경력자는 다음 해 자동차보험 가입이 불가능한 경우도 발생한다.

특히, 과거 2년 동안 음주운전 경력이 2회 이상 있는 운전자는 ‘자동차손해배상보장법’에 따라 의무보험 가입도 제한된다. 이 때 운전자가 자동차보험에 가입하려면 보험료가 크게 할증되고 가입할 수 있다는 담보가 제한되는 공동인수 제도를 이용할 수밖에 없다.

문형진 금감원 보험감독국 팀장은 “음주운전은 자동차보험의 불이익뿐만 아니라 면허 정치·취소, 벌금, 징역 등 다양한 행정처분과 형사처벌이 따른다”며 “이렇듯 음주운전은 다른 사람 뿐 아니라 운전자 본인의 신체·재산에 큰 타격을 입히는 위험한 불법 행위로 절대 해선 안 된다”고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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