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車보험 한방 비급여 급증..“첩약 등 성분·효능 밝혀야”

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Monday, August 21, 2017, 14:08:00

보험硏, 車보험 한방진료제도 개선 방안 발표..“한방 비급여 진료수가·기준 마련 필요”

[인더뉴스 정재혁 기자] 교통사고 환자 중 한방진료을 이용하는 경우가 늘면서 첩약이나 약침, 추나요법 등 한방 비급여항목의 진료비도 상승하고 있다. 하지만 한방 비급여항목에 대한 진료수가와 적정성 기준 등이 명확하지 않아 법적·제도적 장치 마련이 시급하다는 지적이다.

보험연구원(원장 한기정)과 자유한국당 소속 정종섭 국회의원은 21일 오후 국회의원회관에서 ‘자동차보험 한방진료제도 개선 방안’ 정책토론회를 공동 개최했다. 

발표자로 나선 송윤아 보험연구원 연구위원은 “최근 자동차보험 한방진료비 증가는 환자 수와 한방 비급여에 기인한다”며 “교통사고 환자가 한방진료를 안심하고 이용할 수 있는 제도가 마련될 필요가 있다”고 말했다.



지난 2014년부터 2016년 기간 동안 자동차보험의 한방진료비 규모는 연평균 31% 증가했다. 2016년 자동차보험 한방진료비는 4635억원으로 전체 자동차보험 진료비 1조 6586억원의 28%를 차지했다.

같은 기간 한방병원과 한의원에서 진료를 받은 환자 수는 각각 연평균 29%, 22% 증가한 것으로 나타났다. 한방병원 자동차보험 환자 1인당 외래진료비도 연평균 18% 증가했는데, 여기에 한방 비급여 진료비 증가가 큰 영향을 미친 것으로 분석됐다. 

2016년 기준 한방 비급여 진료비는 자동차보험 한방진료비의 48%를 차지하며 2014년부터 연평균 34%씩 증가한 것으로 나타났다. 첩약의 진료비 비중이 가장 컸고, 한방 비급여 중 자동차보험 진료수가가 정해지지 않은 한방물리요법 진료비는 지난 3년간 연평균 89% 상승했다.

이렇게 한방 비급여 진료비를 포함한 한방진료비가 급증하고 있지만, 정작 한방진료를 받는 교통사고 환자들은 진료에 대한 정보에서 배제돼 있다는 게 송 위원의 주장이다. 특히, 첩약이나 약침 등에 대한 안전성·유효성 등의 정보가 부족하다는 것.

송 위원은 “의료행위에 대한 환자의 승낙 또는 거부의 의사표명이 제대로 이뤄지고 약품의 오남용을 막기 위해서는 환자의 알권리가 보장돼야 한다”며 “첩약과 약침 등에 대한 성분·원산지·효능 표기를 통해 한방진료의 정보비대칭을 완화하고 환자의 자기결정권 및 건강권을 증진할 필요가 있다”고 말했다.

아울러, 과잉진료 방지를 위해 첩약과 추나요법 등 한방물리치료를 포함한 한방 비급여 항목의 진료수가와 인정기준을 명확히 해야한다는 의견도 나왔다. 첩약의 경우 처방기준을 상병별로 마련하고, 한방물리요법과 한의약 관련 의약품의 적정수가도 정해져야 한다는 지적이다.

이밖에 송 위원은 의료기관의 자동차보험 진료수가기준 준수와 진료수가 청구 관련 적법 여부를 확인할 수 있도록 ‘진료 받은 내용 안내제도’와 ‘국토교통부의 의료기관 현지검사 대상 확대’를 제안했다. 

송 위원은 “건강보험은 보건복지부의 현지조사로 행정제제가 가능하지만, 자동차보험은 현지확인 심사를 통한 진료비 삭감만 가능하다”며 “자동차보험에서 보장하는 주요 한방진료는 건강보험에서 보장하지 않는 비급여항목으로, 법규 준수에 대한 감독이 미흡해 개선이 필요하다”고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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