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금융위 “금융회사 자금세탁 방지 내부통제 강화”

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Monday, September 11, 2017, 16:09:25

자금세탁 위험평가체계·독립적 감사·임직원 신원확인 의무화

[인더뉴스 박한나 기자] 앞으로 자금세탁 방지를 위한 금융사들의 내부통제가 강화될 전망이다.

 

금융위원회 금융정보분석원(FIU·정완규 원장)은 자금세탁방지 관련 내부통제 핵심사항을 금융회사 내부통제기준에 포함하도록 의무화하겠다고 11일 밝혔다. 적용대상은 은행, 금융투자업자, 종합금융회사, 보험회사, 상호저축은행, 여신전문금융회사, 금융지주회사 등이다.

 

이에 따라 금융사들은 국제기준 및 FIU의 지침에 따라 자금세탁 위험평가에 기반해 자신의 자금세탁 및 테러자금조달 위험을 확인·평가해야 한다. 위험평가 대상은 금융자산의 수입·매매·상환·발행, 대출·보험·보증, 신상품 개발, 자기자본 투자 등 금융회사의 업무 전반에 해당된다.

 

금융사는 독립적 감사체계도 구축해야 한다. 자금세탁방지업무 담당부서 또는 외부 전문가가 업무수행의 적절성과 효과성을 객관적으로 평가해 문제점을 개선하기 위해서다. 예컨대 감사위원회가 준법감시부의 자금세탁방지 업무를 점검한다.

 

또 자금세탁방지제도에 대한 임직원의 교육·훈련과 신원확인이 의무화된다. 이를 통해 임직원의 자금세탁방지제도의 관심 제고와 전문성을 확보하고 임직원이 연관된 자금세탁 가능성을 사전 차단하는 기능이 부가된다.

 

자금세탁방지제도는 금융회사의 적극적인 참여가 중요할 것으로 보인다. 업권과 영업형태별로도 자금세탁 위험 유형이 달라 금융회사가 자체적으로 위험을 분석하고 대응하는 내부 업무체계를 설계하고 운영해 나갈 필요가 있는 지적이다.

 

FIU 관계자는 이번 감독규정 개정은 국내 금융회사의 대외공신력을 확보하는 중요한 계기가 될 것이라며 금융회사의 자금세탁 방지 역할이 강조되는 국제 흐름에서 국제기준에 부합하는 수준의 내부통제체계를 확립함으로써 FATF 평가에도 대비할 수 있을 것으로 예상한다고 말했다.

 

이어 그는 자금세탁 위험기관으로 판단될 경우 외국 금융회사와의 환거래가 중단되는 직접적인 불이익을 받을 수 있다는 점을 유념할 필요가 있다고 덧붙였다.

 

한편, FATF1989G7 합의로 설립된 국제기구로, UN 협약 및 UN 안보리 결의 관련 금융조치의 이행을 위한 행동기구다.

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박한나 기자 monster127@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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