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“특수건물 화재 대물배상 가입 의무..사고건당 10억”

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Wednesday, October 18, 2017, 12:10:00

금융위, ‘화재로 인한 재해보상과 보험가입에 관한 법률’ 개정..대인배상금 1.5억으로 상향

[인더뉴스 박한나 기자] 오는 19일부터 대형 건물 등 화재에 대한 사회안전망을 강화하기 위한 개정 ‘화재로 인한 재해보상과 보험가입에 관한 법률’이 추진된다. 특수건물 화재 경우 대물배상보험에 반드시 가입해야 하고, 대인배상 보험금액은 1억 5000만원으로 상향된다. 

금융위원회(위원장 최종구)는 ‘화재로 인한 재해보상과 보험가입에 관한 법률’이 개정되면서, 특수건물의 화재로 인한 ‘타인의 재물상 손해’에 대해 ‘사고 1건당 10억원’으로 배상책임보험의 가입을 의무화한다고 18일 밝혔다. 개정 법령 시행일인 내일부터 신규가입이나 갱신되는 특수건물 화재보험 계약에 적용된다.

개정된 내용은 크게 4가지로 ▲특수건물 화재 경우 대물배상 가입 의무화 ▲대인배상 보험금액 상향 ▲보험가입 기준일 명확화 ▲특수건물 안전점검 사전통지 제도 개선 등이다. 

먼저, 개정된 화재보험법은 특수건물 화재 경우 대물배상에 필수적으로 가입하도록 하고, 사고 건당 10억원으로 규정한다. 기존에는 특수건물 화재에 대해 자기 건물 보상과 타인의 신체 손해(사망·부상 등) 배상책임보험만 가입을 의무화했는데, 여기에 특수건물의 화재로 인한 ‘타인의 재물상 손해’에 대해 의무 가입하도록 바뀐 것이다. 

또한, 대인배상 보험 가입금액이 인당 8000만원에서 1억 5000만원으로 상향됐다. 기존에 타인의 신체 손해(사망·부상 등)에 대비해 의무적으로 가입하는 배상책임보험의 가입금액은 피해자 1인당 8000만원이었다. 

여러사람이 출입·근무·거주하는 대형건물을 대상으로 함에도 유사한 의무보험 제도에 비해 대인배상 보험금액이 낮아 충분한 배상이 어려웠다. 이에 ‘타인의 신체 손해’(사망·부상 등)에 대한 배상책임보험의 가입금액이 ‘피해자 1인당 1억 5000만원’으로 상향됐다. 

보험가입 기준일도 명확해진다. 특수건물에 해당하게 된 사유 별로 특약부 화재보험의 의무가입 기준일(기준일부터 30일 내 가입)을 세분화된다. 건물 신축, 소유권 변경 외에 임차인의 업종변경 등으로 특수건물에 해당하게 된 경우, 화재보험 의무가입 시점이 불분명했던 문제를 해소한 것이다. 

예를 들어, ‘건물 건축시’는 사용승인일(건축법)과 사용검사일(주택법)로, ‘소유권 변경시’는 소유권 취득일로, ‘그 밖의 경우’는 특수건물 안전점검에 대해 최초로 통지받은 날로 분명하게 변경된다. 

마지막으로, 특수건물 안전점검 사전통지 제도가 개선된다. 최초의 안전점검에 대해서는 15일 전에 통지하고, 이에 대한 이의제기 절차도 신설된다. 화보협회가 특수건물 현황을 원활히 파악할 수 있도록 관계 행정기관과 지자체의 장에 자료를 요청할 수 있는 근거를 마련할 예정이다. 

금융위 관계자는 “많은 사람이 출입·근무·거주하는 대형 건물 등의 화재 발생에 의무보험의 가입범위와 보험금액을 현실화해 화재에 대비한 사회안전망을 확충했다”며 “특히, 타인의 재물손해에 대한 배상책임보험 가입이 의무화되면서 화재로부터 세입자 등 서민의 재산을 보호할 수 있을 것으로 기대한다”고 말했다.

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박한나 기자 monster127@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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