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3분기 국내은행 당기순익 3.1兆..전년比 6000억↑

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Wednesday, November 15, 2017, 12:11:00

금감원, 국내은행 3분기 영업실적 발표..순이자마진 확대 따른 이자이익 증가 요인

[인더뉴스 정재혁 기자] 올해 3분기 국내은행이 벌어들인 수익은 총 3조 1000억원으로 나타났다. 지난해 같은 기간 대비 6000억원 증가한 수치다. 순이자마진 확대에 따른 이자이익 증가가 주요인이라는 분석이다.

금융감독원(원장 최흥식)은 국내은행의 2017년 3분기 영업실적(잠정)을 15일 발표했다. 당기순이익(대손준비금 전입 전) 3조 1000억원을 기록해 전년 동기 2조 5000억원보다 6000억원 증가(26.4%)했다.

당기순이익이 증가한 이유는 순이자마진(NIM) 확대 요인이 크게 작용했다. 일부기업의 구조조정 추진 등으로 작년보다 대손비용이 6000억원 증가했지만, 이자이익은 1조원이 더 늘었다. 작년 3분기 1.54%였던 순이자마진은 올해 3분기 1.66%를 기록해 0.12%p 상승했다.

일반은행(시중·지방·인터넷은행)의 순이익은 2조 1000억원으로 전년 동기와 동일했다. 하지만, 농협·기업은행 등 특수은행의 순이익은 영업외이익(5000억원) 등의 증가로 지난해보다 6000억원 상승한 1조원을 기록했다.

주요 손익비율을 보면, 3분기 국내은행의 총자산순이익률(ROA) 0.52%로 전년 동기(0.43%) 대비 0.09%p 상승했다. 자기자본순이익률(ROE)도 1.28%p 상승한 6.68%를 나타냈다. 

다만, 일반은행과 특수은행 간 ROA와 ROE의 상승률은 차이가 났다. 일반은행의 ROA와 ROE는 각각 0.56%, 7.50%로 전년 동기와 유사한 수준(ROA 동일, ROE 0.11%p 증가)이었던 반면, 특수은행의 ROA, ROE는 0.45%, 5.37%로 전년 동기 대비 0.25%p(ROA), 3.07%p(ROE) 상승했다.

이익구성별 현황으로는 이자이익이 9조 6000억원으로 지난해 같은 기간 대비 1조원 상승했고, 비이자이익은 1조 6000억원을 기록해 지난해와 동일한 수준을 유지했다. 비용인 판관비(판매·관리비)는 일부은행의 명예퇴직금 지급 등으로 지난해보다 4000억원 상승한 5조 5000억원을 기록했다. 

이밖에 대손비용은 일부 기업의 구조조정 추진 등의 영향을 받아 6000억원 증가한 1조 5000억원을 나타냈고, 영업외 손익은 199억원으로 지난해 대비 5000억원 증가해 흑자전환했다. 이는 전년 동기 인식된 자회사 투자지분 손실(5000억원) 효과가 소멸된 데 주로 기인한다.

이와 관련 금감원 관계자는 “지난해 3분기 산업은행이 자회사인 대우조선해양 주식에 대한 손상차손 5765억원을 인식해 영업외 손익에서 적자가 났다”며 “올해는 이러한 손실 효과가 사라져 영업외 손익이 흑자전환하게 된 것”이라고 설명했다. 

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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