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靑 “가상화폐 거래소폐쇄, 政 공식입장 아냐”..화들짝

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Thursday, January 11, 2018, 18:01:33

청와대 “법무부 장관 입장일 뿐..다양한 견해 有”..폐쇄설 해프닝에 그칠 듯
박영선 민주당 의원도 “이것만이 답일까” 우려..기재부도 “합의 한 적 없어”

[인더뉴스 정재혁 기자] 법무부장관의 ‘가상화폐 거래소 폐쇄’ 발언이 해프닝에 그칠 모양새다. 기획재정부 측에서 먼저 “합의된 내용이 아니다”라고 한 뒤, 청와대도 비슷한 의견을 냈다. 이 과정에서 여당의 실세 의원은 SNS를 통해 거래소 폐쇄 반대 의사를 밝히는 등, 정부와 여당 내 ‘불협화음’이 이어졌다.   

11일 일부 언론에 따르면, 청와대는 법무부장관의 ‘가상화폐 거래소 폐쇄 추진’ 발언이 정부 차원에서 조율된 입장이 아니라고 밝혔다. 청와대 고위 관계자는 “박상기 장관의 발언은 법무부의 입장이고, 다른 부처에선 다양한 입장을 갖고 있다”고 말했다.

이날 오전 박상기 법무부장관은 정부과천청사에서 열린 법조기자단 간담회에서 “가상화폐 거래를 금지하는 법안을 준비 중”이라고 언급한 바 있다. 

그는 “일단 정부 입법안을 준비하고 있다”며 “거래소 폐쇄 일정을 구체적으로 공개할 수는 없지만, 관련 부처와 합동으로 중간에 여러 대책이 마련돼 집행될 것”이라고 말했다. 

청와대의 입장 표명으로 인해 법무부장관의 발언은 정부의 공식 입장은 아닌 것으로 드러났다. 청와대 고위 관계자의 발언 관련 보도가 나오기 전, 주무부처 중 하나인 기재부도 박 장관의 거래소 폐쇄 발언에 대해 사전 통보를 받지 못 했고, 합의 또한 이뤄지지 않았다는 입장을 밝힌 바 있다.

법무부장관의 발언은 정치권의 관심도 불러일으켰다. 특히, 여당인 더불어민주당 소속 박영선 의원은 자신의 ‘페이스북’ 계정을 통해 가상화폐 거래소 폐쇄 방침에 반대 의사를 분명히 했다. 

그는 ‘가상화폐 거래소 폐쇄, 이것만이 답일까?’로 시작하는 포스팅에서 “(가상화폐 거래소 폐쇄는) 빈대 잡자고 초가삼간 태우는 격”이라며 자금 해외 유출, 블록체인 등 기술 발달의 문제 등을 지적했다. 이밖에 남경필 경기도지사와 하태경 바른정당 최고위원도 페이스북을 통해 거래소 폐쇄 방침을 비판했다.

이러한 일련의 과정에서 가상화폐 시장은 급격히 요동쳤다. 가상화폐 대장주인 ‘비트코인’은 박 장관의 발언 이후 한때 1700만원까지 떨어졌다가 오후 6시 현재 1900만원대를 회복했다. 비트코인은 오전 11시까지만 해도 2100만원을 넘어선 상태였다.  

한 가상화폐 투자자는 “여기가 중국도 아니고 거래소 폐쇄는 공산국가에서 할 법한 일”이라며 “투기가 과열돼 어느 정도 규제가 필요한 점은 인정하지만, 이런 식으로 정부 내에서 협의되지 않은 사안을 대중들에게 공개하는 것은 문제가 있다”고 지적했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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