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부산대 RISE사업단, 미래 제조업 인재양성 캠프 성료

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Wednesday, January 14, 2026, 10:01:16

기업 생산라인부터 취업 전략까지 현장 교육
동화엔텍·조광요턴 현장 체험 프로그램 운영

 

인더뉴스 제해영 기자ㅣ부산대학교 RISE사업단은 재학생을 대상으로 한 실무 중심 교육 프로그램인 '미래 제조업 인재양성 캠프: 현장에서 답을 찾다'를 지난 13일부터 14일까지 이틀간 개최했다고 밝혔습니다.

 

이번 캠프는 지역 제조업의 미래를 이끌 실무형 인재를 양성하기 위해 마련됐으며, 학생들이 실제 제조기업 현장을 직접 체험하고 산업 현장의 요구를 이해할 수 있도록 구성됐습니다.

 

프로그램은 지역 제조기업 현장 견학과 기업 실무자 특강, 직무 이해 교육, 취업 역량 강화 프로그램 등으로 진행됐습니다. 학생들은 동화엔텍과 조광요턴을 방문해 실제 생산 공정과 설비 운영 과정을 살펴보고, 제조업 현장에서 요구되는 기술과 직무 특성을 현장에서 직접 확인했습니다.

 

현장 견학과 함께 진행된 기업 실무자 특강에서는 제조업 전반의 산업 동향과 직무별 역할, 기업이 필요로 하는 핵심 역량에 대한 설명이 이어졌습니다. 이어진 직무 이해 교육에서는 전공 지식이 현장에서 어떻게 활용되는지에 대한 사례 중심 설명이 진행돼 학생들의 이해를 도왔습니다.

 

 

취업 역량 강화를 위한 프로그램도 함께 운영됐습니다. 학생들은 이력서와 자기소개서 작성법, 면접 대응 전략 등에 대한 코칭을 받으며 실제 취업 준비 과정에서 필요한 실질적인 조언을 얻었습니다.

 

특히 기업 실무자들과의 질의응답 시간에는 제조업 현장의 조직 문화와 채용 과정, 취업 전략에 대한 현실적인 이야기가 공유됐습니다. 이를 통해 학생들은 전공 학습과 산업 현장을 연결하며 자신의 진로 방향을 보다 구체적으로 설계하는 계기를 마련했습니다.

 

부산대 RISE사업단은 이번 캠프를 통해 대학 교육과 산업 현장을 유기적으로 연결하는 지산학 협력 모델을 강화하고자 했습니다. 사업단은 지역 산업 수요에 부합하는 맞춤형 인재 양성을 지속적으로 지원해 나갈 방침입니다.

 

부산대 RISE사업단 관계자는 “학생들이 현장에서 직접 보고 듣고 질문하며 제조업을 이해할 수 있도록 프로그램을 구성했다”고 설명했습니다. 이어 “앞으로도 다양한 산업 분야를 대상으로 한 현장형 인재양성 프로그램을 확대해 나갈 계획”이라고 말했습니다.

 

한편 부산대 RISE사업단은 오는 2월 금융권 인재양성 캠프를 추가로 개최하는 등 대상과 영역을 넓혀 지역 정주형 인재 양성과 산업 경쟁력 강화를 위한 프로그램을 이어갈 예정입니다.

 

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제해영 기자 tony@inthenews.co.kr


삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

2026.02.12 15:28:40

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]는 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 본격적인 HBM4 시장 선점에 나선다고 12일 밝혔습니다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC(반도체 표준 제정 국제 산업 표준 기구) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발을 추진해 왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다고 설명했습니다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"라며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"라고 말했습니다. 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했습니다. 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했습니다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대됩니다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했습니다. 또 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공합니다. 삼성전자는 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다. 삼성전자는 데이터 전송 I/O 핀 수가 1024개에서 2048개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했습니다. 또한, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상했습니다. 삼성전자는 "이번 제품은 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄다"며 "고객사는 이를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다"고 설명했습니다. 향후 HBM이 고도화됨에 따라 베이스 다이의 역할이 더욱 중요해질 것으로 전망됩니다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 협업을 통해 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발한다는 계획입니다. 또 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편, 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다고 밝혔습니다. 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며 이들과의 기술 협력을 확대할 계획입니다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있습니다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 D램 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로 HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있습니다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며 AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플을 출하할 계획입니다. 또한 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대하고 있습니다.




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