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코카콜라, 한국서 ‘FIFA 월드컵 트로피 투어’ 개최

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Wednesday, January 14, 2026, 16:01:51

16일 전세기 타고 한국 방문..공식 트로피 일반 공개

 

인더뉴스 장승윤 기자ㅣ코카콜라는 오리지널 FIFA 월드컵 트로피가 오는 16일 특별 전세기를 타고 한국을 방문한다고 14일 밝혔습니다. 이번에 한국을 방문하는 월드컵 트로피는 오는 6월부터 캐나다, 멕시코, 미국의 공동 개최로 열리는 2026 FIFA 북중미 월드컵 우승국에게 실제로 수여되는 공식 트로피입니다.

 

오리지널 FIFA 월드컵 트로피의 방한은 지난 2022 카타르 월드컵 이후로 4년 만입니다. 한국은 1986년부터 2026년까지 지난 40년간 11회 연속 본선 진출에 성공했습니다. 한국은 이번 2026 북중미 월드컵 진출로 통산 12번째 월드컵 무대를 밟게 됐습니다.

 

코카콜라는 FIFA 월드컵의 공식 후원사이자 월드컵 트로피 투어에 대한 독점적 권리를 보유하고 있는 파트너사입니다. 지난 2006년부터 FIFA 월드컵 트로피 투어를 진행하고 있으며 올해는 20주년 기념으로 진행됩니다. 사상 최대 규모로 꼽히는 북중미 월드컵을 앞두고 다양한 국가를 방문할 예정입니다.

 

월드컵 트로피는 1월 3일 사우디아라비아를 시작으로 150일간 전 세계 30개 FIFA 회원국, 75개 지역을 순회합니다. 한국은 오는 16일 코카콜라 전세기를 통해 입국한 후 미디어 공개 행사에서 대중에 처음 공개됩니다. 이어 17일에는 CGV용산아이파크몰에서 트로피를 만나볼 수 있는 소비자 체험 행사가 열립니다.

 

한국 코카콜라는 1998년 ‘777 응원단’을 통해 첫 원정 응원단을 선보였고 2002 한일월드컵에서는 2331명의 ‘777 응원단’을 모집해 한국전 3경기를 현장에서 함께 응원했습니다. 한국 코카콜라는 2006년을 시작으로 2010년, 2014년, 2022년까지 국내 트로피 투어를 진행했으며 이번이 다섯 번째입니다.

 

코카콜라 관계자는 "코카콜라는 오랜 시간 FIFA 월드컵 현장에서 국내 팬들과 함께 호흡하며 한국 축구에 진심을 갖고 응원해왔다"며 "이번 행사를 통해 오리지널 FIFA 월드컵 트로피가 가진 승리의 기운을 국내 팬들과 함께 나눌 수 있는 특별한 기회가 되길 기대한다"고 말했습니다.

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장승윤 기자 weightman@inthenews.co.kr


삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

2026.02.12 15:28:40

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]는 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 본격적인 HBM4 시장 선점에 나선다고 12일 밝혔습니다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC(반도체 표준 제정 국제 산업 표준 기구) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발을 추진해 왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다고 설명했습니다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"라며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"라고 말했습니다. 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했습니다. 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했습니다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대됩니다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했습니다. 또 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공합니다. 삼성전자는 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다. 삼성전자는 데이터 전송 I/O 핀 수가 1024개에서 2048개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했습니다. 또한, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상했습니다. 삼성전자는 "이번 제품은 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄다"며 "고객사는 이를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다"고 설명했습니다. 향후 HBM이 고도화됨에 따라 베이스 다이의 역할이 더욱 중요해질 것으로 전망됩니다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 협업을 통해 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발한다는 계획입니다. 또 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편, 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다고 밝혔습니다. 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며 이들과의 기술 협력을 확대할 계획입니다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있습니다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 D램 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로 HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있습니다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며 AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플을 출하할 계획입니다. 또한 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대하고 있습니다.




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