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이 대통령 “반도체 관세 100%? 미국 물가만 올릴 것…통상 압박 정면 돌파”

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Wednesday, January 21, 2026, 21:01:46

이재명 대통령 취임 후 첫 신년기자간담회 열어
집권 2년차 국정 청사진 발표 및 국정 현안 관련 구상 밝혀

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ"대한민국 경제의 체질을 투기와 정체에서 혁신과 생산으로 완전히 바꾸겠습니다. 험난한 파도가 오고 있지만, 우리 경제라는 배가 파손될 정도의 위험은 아닙니다. 시장의 상업적 합리성을 믿고 의연하게 대처하겠습니다."

 

이재명 대통령은 21일 오전 청와대 영빈관에서 열린 신년 기자회견에서 ‘함께 이루는 대전환, 모두 누리는 대도약’을 주제로 산업 및 경제 전반에 대한 국정 운영 청사진을 밝히고 기자들의 질의에 답변을 했습니다.

 

이날 회견은 집무실을 청와대로 복귀시킨 이후 첫 공식 기자회견으로, 국내외 기자 및 유튜버 등 25명과 자유로운 질의응답 방식으로 120분간 진행됐습니다.

 

이 대통령은 특히 최근 한국 경제의 불확실성을 가중시키고 있는 미국발 반도체 고율 관세 위협과 부동산 시장의 구조적 문제, 주식시장 활성화를 위한 ‘생산적 금융’으로의 전환을 강조하며 경제 위기 돌파에 대한 강한 의지를 천명했습니다. 

 

이날 기자회견에서 경제 분야의 최대 관심사는 미국의 반도체 관세 부과 가능성에 대한 정부의 대처 방안이었습니다. 최근 미국 정부가 메모리 반도체에 대해 100% 관세를 부과할 수 있다는 취지의 발언을 한 것에 것에 대해 이 대통령은 “시장의 상업적 합리성이 결국 보호무역의 파고를 넘을 것”이라며 자신감을 내비쳤습니다. 

 

이 대통령은 "한국과 대만의 반도체 점유율이 80~90%에 달하는 상황에서 미국이 100% 관세를 부과하면 미국 내 반도체 가격과 물가가 고스란히 100% 오르게 된다"며 "미국 경제가 이를 감당하기 어려울 것이기에 현실화 가능성을 심각하게 우려하지 않는다”고 말했습니다. 

 

이어 "이런 격렬한 대립 국면에서는 돌발 변수가 많지만 일희일비해서는 안 된다"며 "이미 한미 관세·안보 공동 설명자료(JFS)를 통해 대만보다 불리하지 않은 ‘최혜국 대우(No less favorable)’ 조항을 확보해 둔 만큼, 정해진 원칙에 따라 차분하게 대응하겠다"고 설명했습니다.

 

이 대통령은 최근 지역간 갈등으로 비화되고 있는 용인 반도체 클러스터(산단)와 관련해 "정부 정책으로 결정을 해놓은 것을 지금 제가 뒤집을 수는 없다"고 선을 그었습니다. 다만 이 대통령은 반도체 산단의 장기 지속 가능성은 전력·용수 등 인프라 현실과 지역 수용성에 달려 있다고 강조하며 지금처럼 수도권으로 다 몰아 지방에서 생산한 전기를 송전탑으로 끌어오는 방식은 한계가 뚜렷하다고 지적했습니다.

특히 이 대통령은 대규모 송전망 확충을 둘러싼 갈등 가능성을 거론하며 "주민들이 가만히 있겠나. 벌써 지역 연대 투쟁체를 만들고 있다"고 언급했습니다. 이 대통령은 대안으로 '지산지소(전력 생산지에서 소비) '를 대원칙으로 제시했습니다. "전기가 생산되는 지역에서 쓰이게 해야 된다"는 방향 아래, 수도권 집중형 산업 배치에서 벗어나 지역 균형발전과 산업 입지 재배치로 정책 기조가 이동할 수 있음을 시사했다는 분석입니다.

 

 

주식시장 활성화와 관련해 이 대통령은 '코리아 디스카운트'의 핵심 원인으로 불안정한 남북 관계와 불투명한 기업 지배구조 등을 꼽았습니다. 

 

이 대통령은 "평화가 곧 경제"라며 "대북 강경론으로 한반도 긴장을 고조시키는 것은 우리 기업들을 '싸구려 취급' 받게 만드는 바보 같은 짓"이라고 강하게 비판했습니다. 이어 "참을 건 참고 설득하며 평화적인 정책을 유지해야 경제가 산다"고 강조했습니다. 

 

부동산 문제에 대해서는 ‘수도권 집중 완화’와 ‘공급 방식의 현실화’를 해법으로 제시했습니다. 이 대통령은 현재의 집값 불안정이 수요와 공급의 불균형, 그리고 지나친 자산의 부동산 편중에서 기인한다고 분석했습니다.

 

이 대통령은 "집은 필수 공공재에 가까운데 이를 투기 수단으로 만드는 것은 바람직하지 않다"며 "토지거래허가제 등 투기 수요 억제를 위한 규제는 유지하되, 실수요자를 위한 공급은 획기적으로 늘리겠다"고 밝혔습니다. 

 

이를 위해 국토교통부가 곧 구체적인 공급 확대 방안을 발표할 예정이며 특히 과거의 추상적인 '100만 호' 식의 수치가 아니라, 인허가와 착공 기준으로 실질적인 공급 물량을 제시하겠다는 구상을 전했습니다. 이 대통령은 "수도권 내 여유 부지 확보와 주택 추가 건설을 통해 국민이 체감할 수 있는 공급 신호를 보낼 것"이라고 덧붙였습니다.

 

이 대통령은 기자회견에 앞서 모두발언을 통해 대한민국 경제의 지속 가능한 성장을 위한 '5가지 대전환'의 길을 제시했습니다. ▲지방 주도 성장 ▲기회와 과실을 나누는 모두의 성장 ▲안전에 기반한 지속 가능한 성장 ▲문화가 이끄는 매력적인 성장 ▲평화가 뒷받침하는 안정적 성장 등입니다. 

 

이 대통령은 "과거의 성공 공식에 안주하면 저성장의 늪에 빠지고 만다"며 "지방에 ‘떡 하나 더 주는 식이 아니라 지방이 스스로 성장을 주도하고 그 결실을 중소·벤처기업과 청년들이 누리는 ‘스타트업·벤처 열풍 시대’를 다시 열겠다"고 강조했습니다. 

 

또한 쿠팡 등 글로벌 플랫폼 기업에 대한 규제 우려에 대해서는 "글로벌 기업이든 국내 소규모 기업이든 법과 원칙, 그리고 상식에 따라 대처할 것"이라며 "주권 국가로서 당당하게 국제 규범에 맞춰 처리하겠다"고 원칙론을 재확인했습니다. 

 

이 대통령은 회견 마무리 발언에서 "굴곡진 대한민국 역사에서 국력의 원천은 언제나 국민이었다"며 "국민의 삶을 저해하는 반칙과 특권, 불공정은 단호히 바로잡겠다"고 강조한 뒤 "이제 대한민국의 시간이다”며 “우리 앞에 놓인 결정적 순간을 대한민국 대도약의 출발점으로 만들기 위해 지난해보다 더 무거운 책임감으로 주어진 사명을 이행하겠다"고 신년 기자회견을 마무리했습니다. 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

2026.02.12 15:28:40

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]는 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 본격적인 HBM4 시장 선점에 나선다고 12일 밝혔습니다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC(반도체 표준 제정 국제 산업 표준 기구) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발을 추진해 왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다고 설명했습니다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"라며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"라고 말했습니다. 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했습니다. 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했습니다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대됩니다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했습니다. 또 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공합니다. 삼성전자는 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다. 삼성전자는 데이터 전송 I/O 핀 수가 1024개에서 2048개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했습니다. 또한, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상했습니다. 삼성전자는 "이번 제품은 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄다"며 "고객사는 이를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다"고 설명했습니다. 향후 HBM이 고도화됨에 따라 베이스 다이의 역할이 더욱 중요해질 것으로 전망됩니다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 협업을 통해 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발한다는 계획입니다. 또 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편, 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다고 밝혔습니다. 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며 이들과의 기술 협력을 확대할 계획입니다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있습니다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 D램 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로 HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있습니다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며 AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플을 출하할 계획입니다. 또한 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대하고 있습니다.




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