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현대차 ‘현대 커미션’ 2026년 전시 작가, 레바논 출신 타렉 아투이 선정

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Tuesday, January 27, 2026, 12:01:01

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ현대자동차는 영국 테이트 미술관과 진행하는 대규모 전시 프로젝트인 '현대 커미션(Hyundai Commission)'의 2026년 전시 작가로 타렉 아투이(Tarek Atoui)가 선정됐다고 27일 밝혔습니다.

올해로 11번째를 맞는 현대 커미션은 현대미술의 발전을 위해 매년 한 명의 작가를 선정해 영국 런던에 위치한 테이트 모던(Tate Modern) 중심부에 있는 전시 공간 터바인 홀(Turbine Hall)에서 새로운 작품을 선보일 기회를 제공하고 있다.

이번 전시에 참여하는 타렉 아투이는 1980년 레바논 베이루트에서 태어나 현재 프랑스 파리를 기반으로 활동하는 작가이자 작곡가로, 음악사·악기·음악 제작에 대한 폭넓은 연구를 통해 소리에 대한 인식과 경험을 새롭게 제시하고 그 이해를 확장하는 다감각적 퍼포먼스와 설치 작업을 선보여 왔습니다. 

그의 작업의 핵심은 여러 예술가·작곡가·제작자들과 협업해 유리·물·도자기 등의 재료로 새롭게 구상한 악기를 직접 만드는 데 있습니다. 이 악기들은 하나의 조각 작품으로 기능하는 동시에, 모터의 섬세한 작동 또는 연주자와 관객의 신체적 접촉이나 호흡을 통해 소리를 내는 것이 특징입니다. 

작가는 악기 연주를 기반으로 한 소리에, 여러 지역에서 수집한 환경음과 컴퓨터로 생성한 전자음을 결합해, 전시 공간 전체를 감싸는 몰입형 사운드 설치와 퍼포먼스를 선보입니다. 이러한 작업 과정은 소리를 단순히 귀로 듣는 차원을 넘어, 촉각과 시각으로 확장한 다층적 경험을 제공하며 새로운 예술적 세계를 보여줍니다. 

테이트 모던 관장 직무대리 캐서린 우드(Catherine Wood)는 "음악·기술·조각·퍼포먼스 등 다양한 영역을 아우르며 동시대를 반영하는 작가 타렉 아투이는 건축적 공간을 소리 탐구의 중요 요소로 삼아 온 만큼, 테이트 모던의 상징인 터바인 홀에서 어떤 새로운 작업을 선보일지 기대된다”고 말했습니다. 

현대자동차 관계자는 "11번째 현대 커미션을 통해 악기·공간·관객을 연결하며 다감각적 대화를 이어 온 타렉 아투이의 실험적 합주 안에서 동시대를 성찰하는 다층적 경험의 장이 펼쳐지기를 기대한다"고 말했습니다. 

《현대 커미션: 타렉 아투이》 전시는 오는 10월 13일 개막해 내년 4월 11일까지 약 6개월 간 이어지며 테이트 모던의 국제 미술 시니어 큐레이터 나빌라 압델 나비(Nabila Abdel Nabi)와 어시스턴트 큐레이터 디나 아흐마드에이예바(Dina Akhmadeeva)가 맡아 진행합니다. 

현대자동차는 2014년부터 이어 온 테이트 미술관과의 파트너십을 최근 2036년까지 연장하여 예술을 매개로 세대·지역·분야 간 경계를 허물고 동시대가 필요로 하는 대화의 장을 마련하기 위한 노력을 지속하고 있습니다.

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

2026.02.12 15:28:40

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]는 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 본격적인 HBM4 시장 선점에 나선다고 12일 밝혔습니다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC(반도체 표준 제정 국제 산업 표준 기구) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발을 추진해 왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다고 설명했습니다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"라며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"라고 말했습니다. 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했습니다. 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했습니다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대됩니다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했습니다. 또 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공합니다. 삼성전자는 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다. 삼성전자는 데이터 전송 I/O 핀 수가 1024개에서 2048개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했습니다. 또한, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상했습니다. 삼성전자는 "이번 제품은 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄다"며 "고객사는 이를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다"고 설명했습니다. 향후 HBM이 고도화됨에 따라 베이스 다이의 역할이 더욱 중요해질 것으로 전망됩니다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 협업을 통해 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발한다는 계획입니다. 또 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편, 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다고 밝혔습니다. 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며 이들과의 기술 협력을 확대할 계획입니다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있습니다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 D램 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로 HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있습니다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며 AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플을 출하할 계획입니다. 또한 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대하고 있습니다.




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