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[부고] 정창선 중흥그룹 회장 별세

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Tuesday, February 03, 2026, 09:02:19

 

인더뉴스 제해영 기자ㅣ중흥그룹 창업주인 정창선 회장이 지병으로 별세했습니다. 향년 84세입니다. 중흥그룹에 따르면 정 회장은 2026년 2월 2일 오후 11시 40분쯤 광주 전남대학교병원 학동병원에서 치료를 받던 중 가족이 지켜보는 가운데 영면했습니다.

 

1942년 광주에서 태어난 고인은 광주·전남 지역을 기반으로 중흥그룹을 창업해 지역 건설사를 국내 중견·대형 건설그룹으로 성장시킨 입지전적인 기업인으로 평가받고 있습니다. 정 회장은 평생을 건설 산업에 몸담으며 주택건설을 중심으로 토목과 레저, 미디어 등으로 사업 영역을 점진적으로 확장해 왔습니다.

 

경영 전반에서는 무리한 외형 확대보다 재무 건전성과 사업 안정성을 중시하는 원칙 경영을 유지해 왔으며, 외환위기와 글로벌 금융위기, 부동산 경기 침체 등 건설업 전반이 어려웠던 시기에도 단계적인 사업 운영을 통해 그룹의 기반을 다져 왔다는 평가를 받습니다.

 

대우건설 인수 이후에도 중흥그룹은 기존 사업과 신규 사업을 병행하며 비교적 안정적인 경영 기조를 이어왔고, 재계 순위 20위권까지 그룹 규모를 키우면서도 무리한 확장보다는 관리와 내실에 초점을 맞춘 경영을 지속해 왔습니다.

 

정 회장은 기업 경영뿐 아니라 지역 경제 발전에도 꾸준히 기여해 왔습니다. 2018년 3월부터 대한상공회의소 부회장으로 활동했으며, 같은 해 3월부터 2024년 3월까지 광주상공회의소 회장을 맡아 지역 상공인과 기업인의 목소리를 대변해 왔습니다.

 

이 같은 공로를 인정받아 2005년 주택건설의 날 동탑산업훈장과 2017년 제70회 건설의 날 건설산업발전 공로상을 수상했으며, 같은 해 광주광역시민대상 지역경제진흥대상도 받았습니다.

 

정 회장은 평소 언론 노출을 자제하며 현장과 실무 중심의 경영을 이어온 인물로 알려져 있으며, 내부적으로는 원칙과 책임을 중시하는 경영자로 평가받아 왔습니다.

 

중흥그룹은 “창업주의 뜻을 이어 안정적인 경영과 사회적 책임을 다하며 지속 가능한 기업으로 나아가겠다”고 밝혔습니다.

 

유족으로는 부인 안양임씨와 아들 정원주 중흥그룹 부회장 겸 대우건설 회장, 정원철 시티건설 회장, 딸 정향미씨, 사위 김보현 대우건설 사장이 있습니다.

 

빈소는 광주광역시 서구 매월동 소재 VIP장례타운에 마련됐으며, 발인은 5일 오전 7시에 엄수될 예정입니다. 장지는 전남 화순 개천사에 임시 안장된 뒤 유가족 뜻에 따라 추후 공지될 예정입니다.

 

 

訃告

중흥그룹 중봉(中峰) 정창선(鄭昌善) 회장께서 2026년 2월 2일

오후 11시46분 별세하셨기에 삼가 알려드립니다.

빈소 : 광주광역시 서구 VIP 장례타운 301호

발인일시 : 2월 5일 목() 오전 7시

장지 : 화순 개천사

 

미망인 : 안양임

아들 : 정원주, 정원철

며느리 : 이화진, 윤지연

딸 : 정향미

사위 : 김보현

손 : 정정길, 정민식, 정준식, 정서윤

외손 : 김이석, 김이준, 김이열

 

2026년 02월 03일

빈소 연락처 : 062-521-4444

 

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제해영 기자 tony@inthenews.co.kr


삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

2026.02.12 15:28:40

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]는 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 본격적인 HBM4 시장 선점에 나선다고 12일 밝혔습니다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC(반도체 표준 제정 국제 산업 표준 기구) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발을 추진해 왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다고 설명했습니다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"라며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"라고 말했습니다. 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했습니다. 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했습니다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대됩니다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했습니다. 또 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공합니다. 삼성전자는 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다. 삼성전자는 데이터 전송 I/O 핀 수가 1024개에서 2048개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했습니다. 또한, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상했습니다. 삼성전자는 "이번 제품은 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄다"며 "고객사는 이를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다"고 설명했습니다. 향후 HBM이 고도화됨에 따라 베이스 다이의 역할이 더욱 중요해질 것으로 전망됩니다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 협업을 통해 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발한다는 계획입니다. 또 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편, 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다고 밝혔습니다. 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며 이들과의 기술 협력을 확대할 계획입니다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있습니다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 D램 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로 HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있습니다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며 AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플을 출하할 계획입니다. 또한 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대하고 있습니다.




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