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하나금융 코스닥·벤처·혁신기업에 직간접 투자금융 8.2조 공급

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Tuesday, February 03, 2026, 14:02:12

 

인더뉴스 문승현 기자ㅣ하나금융그룹(회장 함영주)은 3일 코스닥·벤처·혁신기업을 중심으로 자본시장을 활성화하기 위해 그룹 역량을 집중한다고 밝혔습니다.


지난해 10월 하나금융은 국가미래성장과 민생안정 지원에 2030년까지 5년간 100조원을 투입하는 '하나 모두성장 프로젝트'를 발표했습니다. 이 프로젝트를 통해 코스닥·벤처·혁신기업에 대한 직간접 투자금융을 공급한다는 것입니다.


먼저 '하나 모두성장 K-미래전략산업 벤처펀드'를 조성합니다. 하나은행·하나증권·하나카드·하나캐피탈·하나대체투자자산운용·하나벤처스 등 하나금융 6개 자회사가 공동출자하는 방식입니다. 1000억원씩 4년간 출자해 매년 1조원 규모의 자펀드를 결성해 향후 총 4조원 규모의 펀드를 조성할 계획입니다.


하나증권은 발행어음 등 자본시장 재원조달수단을 다각화하고 자산관리·금융상품 영역에서도 자본시장과 혁신기업으로 자금이 유입될 수 있도록 구조를 고도화하고 있습니다. 2028년까지 최대 4조원 규모의 모험자본이 자본시장에 공급될 전망입니다.

 


하나증권은 또 코스닥 예비상장기업 육성을 위한 2000억원 규모의 민간 모펀드 결성도 별도로 추진하고 있습니다. 이 자금은 AI·바이오·콘텐츠·국방·에너지·제조업 등 미래성장산업과 첨단기술분야 중심으로 투자됩니다. 혁신기업 스케일업과 코스닥시장 질적성장을 동시에 도모합니다.


하나금융은 그룹내 자본시장 역량을 결집해 Pre-IPO 투자, 상장지원, 공모주 및 상장 이후 투자까지 이어지는 금융구조를 강화하고 있습니다.


이와 함께 핵심자회사 하나은행은 경영지원그룹에 속해있던 '증권대행부'를 기업그룹에 재배치했습니다. 코스닥 등 유가증권시장 상장을 앞둔 기업의 자금조달은 물론 상장예비심사 청구를 위한 전자증권제도 도입을 적극 지원하려는 것입니다. 기업금융전담직원(RM)은 현장에서 성장잠재력 높은 벤처·혁신기업을 발굴하고 이들이 코스닥 시장에 안착하도록 지원합니다.

 


하나증권은 리서치 역량을 기반으로 코스닥 시장 투자정보 제공을 확대하고 있습니다. 하나증권 리서치센터는 국내 최대규모로 코스닥 신기술성장기업을 중점 커버하는 미래산업팀을 운영중입니다. 인력과 커버리지를 계속 확대해 로봇·AI·바이오 등 유망산업분야 코스닥 상장기업을 중심으로 분석을 강화하는 한편 투자자들에게 보다 신뢰도 높은 정보를 제공한다는 목표입니다.


함영주 하나금융 회장은 "코스닥 시장 활성화를 위한 제도적 논의와 시장의 공감대가 확산되는 가운데 금융그룹 역할 또한 중요해지고 있다"고 진단했습니다.


그러면서 "그룹 모든 역량을 모아 Pre-IPO부터 상장 이후까지 이어지는 자본시장 연계구조를 강화하고 코스닥·벤처·혁신기업과 투자자가 함께 성장하는 생태계를 구축하겠다"고 의지를 밝혔습니다.

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문승현 기자 heysunny@inthenews.co.kr


삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

2026.02.12 15:28:40

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]는 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 본격적인 HBM4 시장 선점에 나선다고 12일 밝혔습니다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC(반도체 표준 제정 국제 산업 표준 기구) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발을 추진해 왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다고 설명했습니다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"라며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"라고 말했습니다. 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했습니다. 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했습니다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대됩니다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했습니다. 또 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공합니다. 삼성전자는 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다. 삼성전자는 데이터 전송 I/O 핀 수가 1024개에서 2048개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했습니다. 또한, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상했습니다. 삼성전자는 "이번 제품은 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄다"며 "고객사는 이를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다"고 설명했습니다. 향후 HBM이 고도화됨에 따라 베이스 다이의 역할이 더욱 중요해질 것으로 전망됩니다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 협업을 통해 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발한다는 계획입니다. 또 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편, 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다고 밝혔습니다. 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며 이들과의 기술 협력을 확대할 계획입니다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있습니다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 D램 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로 HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있습니다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며 AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플을 출하할 계획입니다. 또한 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대하고 있습니다.




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