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다주택자 양도세 중과유예 5월 9일 종료…‘계약분’ 잔금·등기 기간 연장 검토

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Tuesday, February 03, 2026, 17:02:51

강남4구는 8월 9일까지, 나머지는 11월 9일까지…양도세 중과 예외 기준 제시

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ정부가 4년 전 예고했던 다주택자 양도소득세 중과(조정대상지역) 유예 조치 종료를 오는 5월 9일에 예정대로 시행하기로 했습니다. 

 

다만 부동산 거래의 특성을 고려해 오는 5월 9일까지 계약을 완료한 거래에 한해, 지역별로 잔금과 등기 기한을 3∼6개월까지 추가로 허용하는 방안을 검토합니다. 

 

원칙대로라면 다주택자 보유 주택 매매계약이 체결되고 오는 5월 9일까지 잔금을 치르지 못하면 중과된 양도세를 내야 합니다. 그러나 남은 기간이 3개월 남짓 밖에 남지 않은 데다, 조정대상지역과 토지거래허가구역이 중복 지정돼 매매 절차 완료까지 시일이 더 걸리는 등 매물이 다수 나오기 어려운 여건에다가 선의의 피해자가 생길 수 있다는 지적이 제기되어 왔습니다. 

 

구윤철 부총리 겸 재정경제부 장관은 3일 청와대에서 이재명 대통령 주재로 열린 국무회의에서 "비정상과 불공정 행위를 정상화할 필요가 있기 때문에 이번에 중과유예 조치는 종료할 예정"이라면서도 "부동산 거래 관행 및 시장의 현실을 감안해야 하고 또 국민 불편을 최소화해야 한다"며 일부 예외를 둘 수 있음을 밝혔습니다.

 

재경부가 제안 방안에 따르면, 원칙적으 오는 5월 9일까지 잔금까지 모두 치러야 유예 적용이 가능하지만 2017년 9월 지정된 서울 강남구, 서초구, 송파구, 용산구의 경우는 5월 9일까지 계약만 체결하면 8월 9일(최대 3개월)까지 잔금과 등기를 마치면 유예를 인정하는 방안을 검토합니다.

 

지난해 10월 15일 새로 신규 조정지역으로 지정된 서울 나머지 21개구, 경기 과천·광명·성남·수원 등은 말미를 오는 11월 9일(최대 6개월)까지 주는 방안도 검토할 예정입니다. 이 지역에서 5월 9일까지 계약을 마쳤다면 11월 9일까지 잔금·등기를 완료하면 양도세 중과를 받지 않습니다. 다만 토지거래허가제 구역은 허가 후 잔금 및 실거주 의무 기간이 별도로 있어 기간을 미세 조정할 가능성도 있습니다. 

 

이재명 대통령은 "구 부총리가 발언 도중 '아마'라는 표현을 두 번 썼다"며 "'아마'는 절대 안 된다. 0.1%도 안 된다. 완벽하게 이 정책의 신뢰와 안정성이 꼭 담보돼야 한다"고 강조해 중과 유예의 종료를 못 박았습니다. 

 

이 대통령은 "5월 9일까지 중과세 면제, 이 기준은 지키되 불합리한 결과가 발생할 수 있는 예외적 상황들을 검토하라"고 지시했습니다.

 

다주택자 양도소득세 중과는 조정대상지역 내 기본세율 6∼45%에 2주택자는 20%포인트, 3주택 이상 소유자는 30%포인트를 가산해 과세하는 방식으로 부동산 투기를 막기 위한 규제책으로 꼽힙니다. 여기에 지방소득세 10%까지 적용하면 3주택 이상 소유자의 실효세율은 최고 82.5%까지 높아지는 만큼 부동산 양도차액에 대한 기대치를 낮추는 효과를 가지고 있습니다. 

다주택자 양도소득세 중과는 코로나19 유동성 확대로 집값이 급등하던 2021년 문재인 정부에서 구체화했고 시행을 예고했습니다. 하지만 윤석열 정부가 집권한 뒤 2022년 5월부터 시행령 개정을 통해 해마다 시행을 유예해 사실상 사문화 되는 것 아니냐는 비판이 있었습니다. 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

2026.02.12 15:28:40

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]는 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 본격적인 HBM4 시장 선점에 나선다고 12일 밝혔습니다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC(반도체 표준 제정 국제 산업 표준 기구) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발을 추진해 왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다고 설명했습니다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"라며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"라고 말했습니다. 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했습니다. 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했습니다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대됩니다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했습니다. 또 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공합니다. 삼성전자는 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다. 삼성전자는 데이터 전송 I/O 핀 수가 1024개에서 2048개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했습니다. 또한, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상했습니다. 삼성전자는 "이번 제품은 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄다"며 "고객사는 이를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다"고 설명했습니다. 향후 HBM이 고도화됨에 따라 베이스 다이의 역할이 더욱 중요해질 것으로 전망됩니다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 협업을 통해 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발한다는 계획입니다. 또 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편, 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다고 밝혔습니다. 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며 이들과의 기술 협력을 확대할 계획입니다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있습니다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 D램 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로 HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있습니다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며 AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플을 출하할 계획입니다. 또한 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대하고 있습니다.




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