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한국투자부동산신탁, 분당 서현 효자촌 통합재건축 추진위와 약정 체결

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Tuesday, February 03, 2026, 17:02:13

 

인더뉴스 박호식 기자ㅣ한국금융지주 자회사 한국투자부동산신탁(사장 이국형)이 지난 1일 분당구 서현 효자촌 통합재건축 추진준비위원회와 ‘상호 협력에 관한 약정’을 체결했습니다. 앞서 해당지역 4개단지 대규모 통합재건축사업을 위한 우선협상대상자로 선정된 한국투자부동산신탁은 이번 약정체결을 통해 본격적인 사업추진 기반을 마련했다는 평가입니다.

 

서현 효자촌 통합재건축사업은 분당구 서현동 분당로201번길 일원에 위치한 현대·삼환· 임광·동아아파트 4개단지를 통합개발하는 프로젝트입니다. 정비구역 면적은 약 262,507㎡이며, 토지 등 소유자는 2954명이다. 재건축 완료시 약 4800여 세대 규모의 대단지와 함께 각종 부대복리시설이 조성될 예정입니다. 

 

분당신도시 총 80개 정비예정구역 가운데 기존 세대수 기준 10위권 내에 해당하는 규모입니다. 1기 신도시 재건축 정책 취지상 기존 세대수가 많을수록 대단지 통합개발을 통한 주택공급 효과가 크다는 점에서 2차 특별정비 구역 지정에 대한 기대감도 높다는 설명입니다. 또한 1차 선도지구로 선정된 시범단지2와 샛별마을과 인접해 있어, 향후 도로·공원·학교·사회문화시설 등 기반시설 인프라가 유기적으로 연계될 수 있다는 점 역시 긍정적인 요인으로 꼽았습니다.

 

1기 신도시 재건축 선도지구 특별정비구역 지정 이후 분당 재건축시장이 다시 활기를  띠는 가운데 이번 사업에 대한 시장의 관심도는 높다고 한국부동산신탁은 전했습니다. 최근 선도지구로 선정된 시범단지2, 샛별마을, 양지마을 등 주요 대형 단지들이 예비사업시행자인 신탁사와 함께 특별정비구역으로 지정되는 다른 사례도 이어지고 있습니다.

 

한국투자부동산신탁 정비사업실 박민규 실장은 “한국투자금융그룹은 계열사의 우수한 실적을 바탕으로 탄탄한 자본 경쟁력을 갖추고 있다”며 “서현 효자촌 통합재건축사업에 대해 그룹 연계 금융서비스와 전문적인 사업관리 역량을 바탕으로, 올해 2차 특별정비구역 지정을 적극 지원하겠다”고 말했습니다

 

한편 한국투자부동산신탁은 최근 서울 종로구 창신10구역 재개발사업과 업무협약(MOU)를 체결하는 등 사업행사자로서 활발한 정비사업 영역을 지속적으로 확대하고 있습니다.

 

한국투자부동산신탁 박민규 실장(앞줄 왼쪽 세번째)과 김미경 서현효자촌 통합재건축추진준비위원회 위원장(앞줄 왼쪽 네번째) 등 관계자들이 지난 2월 1일 상호협력에 관한 약정을 체결하고 기념 사진을 촬영하고 있다

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박호식 기자 hspark@inthenews.co.kr


삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

2026.02.12 15:28:40

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]는 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 본격적인 HBM4 시장 선점에 나선다고 12일 밝혔습니다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC(반도체 표준 제정 국제 산업 표준 기구) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발을 추진해 왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다고 설명했습니다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"라며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"라고 말했습니다. 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했습니다. 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했습니다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대됩니다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했습니다. 또 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공합니다. 삼성전자는 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다. 삼성전자는 데이터 전송 I/O 핀 수가 1024개에서 2048개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했습니다. 또한, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상했습니다. 삼성전자는 "이번 제품은 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄다"며 "고객사는 이를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다"고 설명했습니다. 향후 HBM이 고도화됨에 따라 베이스 다이의 역할이 더욱 중요해질 것으로 전망됩니다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 협업을 통해 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발한다는 계획입니다. 또 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편, 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다고 밝혔습니다. 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며 이들과의 기술 협력을 확대할 계획입니다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있습니다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 D램 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로 HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있습니다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며 AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플을 출하할 계획입니다. 또한 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대하고 있습니다.




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