인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]는 서울 강서구 코엑스 마곡 르웨스트홀에서 열린 '제61회 발명의 날' 기념식에서 안현 개발총괄 사장(CDO)이 금탑산업훈장을, 최형진 SK하이닉스 TL(NAND개발)이 대통령포창을 받았다고 20일 밝혔습니다.
SK하이닉스는 HBM4와 321단 1Tb(테라비트) 4D 낸드 등 기술들을 인정받아 이번 수훈의 영예를 안았습니다.
안현 사장은 "이번 수상은 세상에 없던 제품과 기술을 만들기 위해 밤낮없이 도전하고 극복해 온 SK하이닉스 구성원 모두의 집념과 패기 덕분에 얻은 영예"라며 수상 소감을 밝혔습니다.
안 사장은 HBM4를 적기에 개발하고 업계 최초로 양산 체제를 구축해 글로벌 AI 메모리 시장에서의 SK하이닉스 점유율을 확보하는 데 기여했습니다.
낸드 분야에서도 321단 1Tb TLC 4D 낸드 개발 및 양산을 통해 업계 최초로 300단 적층에 성공했으며 이전 세대 대비 대역폭과 연속 읽기 속도를 개선한 eSSD 'PS1012 U.2'를 개발했습니다.
안 사장은 "HBM 시장은 정해진 규격에 맞춰 제품을 공급하는 '표준의 시대'에서 고객의 다양한 요구에 빠르게 대응하는 '맞춤의 시대'로 전환되고 있다"라며 "제품 공급자를 넘어 설계 단계부터 고객과 함께 최적의 솔루션을 만들어가는 '크리에이터'로 진화해야 한다"라고 강조했습니다.
안 사장은 네이버클라우드와의 협업을 통해 차세대 메모리 기술로 주목받는 CXL과 PIM을 실제 서비스 환경에 적용해 성능을 검증하고 시스템 최적화를 진행했습니다.
또, CXL 2.0 기반 'CMM(CXL Memory Module)-DDR5'도 고객 인증을 마치고 상용화 수순을 밟고 있습니다.
낸드 분야에서는 ▲차세대 고속 eSSD용 낸드인 'AIN-P' ▲ TSV 기술을 적용해 대역폭을 확보한 'AIN-B' 등 각 영역에 특화된 차세대 제품을 확보하는 'AI-NAND 패밀리' 전략을 추진하하고 있습니다.
특히, AIN-B는 HBF라는 제품명으로 미국 샌디스크와 전략적 협업을 통해 함께 표준화를 추진 중입니다.
안 사장은 "현재 AI 산업이 마주한 가장 본질적인 과제인 '메모리 병목현상'을 해결하기 위해선 대역폭, 용량, 전력 효율이라는 세 축을 동시에 혁신해야 한다"라며 "그러려면 D램과 낸드, 설루션을 개별 제품으로 보는 시각에서 벗어나 시스템 전체의 성능을 극대화하는 '하나의 통합 메모리 스택'으로 통합 설계하는 입체적인 접근법이 필요하다"라고 강조했습니다.
최형진 TL은 4D 낸드의 핵심기술을 특허로 확보하고 AI 구현에 필요한 고용량 낸드를 개발해 업계 최고 수준의 원가경쟁력과 성능을 확보한 공로로 대통령표창을 받았습니다.
최 TL은 별도의 장비를 추가로 사용하지 않고도 4D 낸드 구동에 필수적인 주변회로의 면적을 혁신적으로 줄이는 기술적 아이디어를 제안해 원가경쟁력을 끌어올렸습니다.
최 TL은 "이번 수훈을 통해 그동안 치열하게 고민하며 쌓아온 지식재산의 가치를 인정받은 것 같아 매우 기쁘다"라며 "특히, 저와 동료들의 아이디어들이 회사가 업계 최초로 300단 적층 시대를 열어가는 데 조금이나마 도움이 됐다는 점에 큰 자부심과 보람을 느낀다"라고 수상 소감을 전했습니다.
