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미래에셋대우, 삼성SDI 목표주가 35만원 유지

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Wednesday, July 31, 2019, 10:07:16

“하반기, 중대형 전지 수익성 개선으로 영업 흑자 전환” 전망

 

인더뉴스 신재철 기자ㅣ미래에셋대우는 31일 삼성SDI에 대해 “상반기 주가 하락을 유발했던 ESS화재, EV M/S와 수익성, 삼성디스플레이 지분법 우려 등은 하반기 진입과 함께 해소될 전망”이라며 “성장이 이제 막 시작 됐고 캐쉬플로어는 점진적으로 선순환에 진입할 것”이라고 진단하며 목표주가 35만원, 투자의견 매수를 유지한다고 밝혔다.

 

김철중 미래에셋대우 연구원은 “하반기 이익의 질에 집중할 필요가 있다”며 “지금까지 이익 성장을 견인했던 것은 원통형 전지와 전자재료였다. 3분기부터는 중대형 전지의 이익 개선이 전사 실적 성장의 대부분을 차지할 것“이라고 분석했다.

 

아울러 김 연구원은 “하반기 EV와 ESS 매출액은 각각 1조 4600억원, 9800억원으로 상반기 보다 66.6%, 156.5% 성장할 것으로 예상한다”며 “매출액 증가에 따라 중대형 전지 수익성 역시 3분기부터는 영업 흑자로 전환해 전사 이익에 기여할 것”이라고 덧붙였다.

 

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신재철 기자 jc@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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