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반격 나선 SK이노베이션, LG화학·전자 동시 제소...“특허 침해로 부당이득”

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Friday, August 30, 2019, 14:08:56

영업비밀 침해로 피소된 지 4개월 만에 맞불..배터리 소송전 새 국면
특허침해 밝혀지면 LG 배터리 생산 불가능해..“대화의 문은 열려 있다”

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣSK이노베이션은 LG화학과 LG전자가 자사의 전기차 배터리 특허를 침해했다며 법적 조치에 들어갔다. 앞서 영업비밀을 침해했다는 이유로 LG화학으로부터 제소당한 SK이노베이션이 본격적인 반격에 들어간 모양새다.

 

SK이노베이션은 배터리 특허를 침해한 LG화학과 LG화학 미국법인, 그리고 LG전자를 미국 국제무역위원회(ITC)에 동시에 제소하기로 했다고 30일 밝혔다. 직접적인 경쟁사인 LG화학은 물론, LG화학의 배터리 셀을 공급받아 배터리 모듈과 팩을 생산하는 LG전자까지 이번 소송 대상에 포함됐다.

 

윤예선 SK이노베이션 배터리 사업 대표는 “이번 제소는 LG화학이 4월말에 제기한 영업비밀 침해건과는 무관한 핵심기술 및 지적재산 보호를 위한 정당한 소송”이라며 “산업 생태계 발전을 위해 소송을 보류하고 있었지만 더 이상 지체할 수 없었다”고 설명했다.

 

SK이노베이션은 LG화학이 지난 4월 말 소송을 제기한 뒤부터 국내 기업간 발전적 경쟁을 바라는 경영진의 뜻에 따라 원만한 해결 방안을 모색해 왔다. 하지만 피소 4개월여만에 LG의 특허침해에 강경 대응하기로 마음을 돌린 모습이다.

 

SK이노베이션은 LG화학과 LG전자가 자사의 배터리 생산방식 관련 특허를 침해해 부당 이득을 챙긴 것으로 보고 있다. LG화학이 IR을 통해 밝힌 지난 1분기 말 전기차 배터리 수주잔고는 110조에 이른다.

 

LG화학 등의 배터리 중 상당한 제품이 이번 특허침해 소송 대상이 될 가능성이 높아 이번 소송에서 SK이노베이션이 승소하면 LG 두 회사는 손해 배상 등 금전적 부담이 생긴다. 또 이 생산방식을 기반으로 수주한 제품의 공급중단 등 배터리 사업 자체에 상당한 차질이 생길 가능성도 있다.

 

SK이노베이션은 특허침해 대상 기술과 범위를 한정한 소송을 제기하면서 소송 목적을 자사의 핵심기술 및 사업가치 보호라는 점을 명확히 했다. 소송이 진행 중이라 특허 내용이 구체적으로 밝혀지진 않았으나, 절차가 어느 정도 진행되면 발표될 것으로 예상된다.

 

임수길 SK이노베이션 홍보실장은 “정당한 권리 및 사업가치를 보호하기 위해 불가피하게 소송까지 왔지만, LG화학과 LG전자는 산업 생태계의 건강한 발전을 위해 협력해야 할 파트너”라며 “협력으로 문제를 해결하는 것이 더 생산적이라고 판단해 대화의 문은 항상 열고 있다”고 말했다.

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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