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과기부, 소재·부품·장비 R&D, 내년 두 배로 확대한다

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Monday, September 09, 2019, 17:09:23

문미옥 차관, 산학연 융합 기초․원천 R&D 추진 위해 기업 현장(SK 기술혁신연구원) 찾아

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ정부가 일본 수출규제 등 글로벌 소재전략무기화에 대응해 중·장기적 관점의 소재·부품·장비 기초·원천 연구개발(R&D) 예산을 대폭 확대한다.

 

과학기술정보통신부는 9일 올해 이 분야 기초·원천 R&D에 1600억 원을 투자한 데 이어 내년에는 3000억원을 투입한다고 밝혔다. 소재 분야 원천 기술을 확보하기 위해 ‘나노·미래소재 원천기술 개발사업’을 시작한다. 내년부터 2032년까지 진행되는 이 사업은 총 4004억 원이 지원된다.

 

정부는 소재분야 기초연구 지원을 지속적으로 확대하고 있다. 특히 2020년에는 소재·부품 등에 특화된 기초연구실 60여개를 지정해 기초연구를 지원하고 대학과 정부 출연연구기관이 보유한 기술의 사업화를 지원하는 ‘소재혁신 선도 프로젝트’(가칭)에 326억원을 투자키로 했다.

 

 

방사광 가속기 기반의 반도체 검사용 극자외선(EUV) 광원 및 검사장비 개발에 내년 115억원을, 연구장비 국산화에는 73억원을 투입할 예정이다.

 

소재·부품 연구개발 주체 간 정보 개방과 공유 활성화를 위한 투자도 강화된다. 연구자들이 축적한 연구데이터를 함께 활용할 수 있게 데이터 플랫폼을 구축하는 데 2020~2025년 총 450억원을, 반도체 공공 테스트베드를 구축하는 데 올해부터 2022년까지 450억원을 각각 지원한다. 시스템 반도체 설계 중소기업(팹리스) 대상 성능검증 공정 지원에 올해부터 2022년까지 450억원을 투입한다.

 

아울러 과기정통부는 기초·원천 R&D 투자 효율을 높이기 위해 지금껏 11개 공공연구기관 중심으로 운영해 온 소재 연구기관 협의회를 확대 개편해 내년 ‘소재혁신전략본부’(가칭)를 출범시키기로 했다.

 

또 기술 수준과 산업 성숙도 등에 따라 R&D 지원방식도 차별화하기로 했다. 산업 경쟁력에 비해 기술 수준이 낮은 분야는 경쟁형 연구개발 방식을 통해 기술 수준의 조기 향상을 도모하고 기술 수준과 산업경쟁력이 모두 낮다면 연구자의 창의성이 극대화되도록 도전형 연구개발 방식을 도입하는 식이다.

 

과기정통부는 소재·부품·장비 기초·원천 R&D 사업에 대한 설명회를 매주 여는 한편 연구관리 전문기관의 소재·부품·장비 분야 연구관리 전문인력을 30여 명에서 50명 이상으로 확대할 예정이다.

 

한편, 문미옥 1차관은 이날 대전 SK이노베이션 기술혁신연구원을 찾아 대학, 출연연, 기업 관계자 등과 만나 소재·부품·장비 분야 기초원천 R&D 추진현황을 공유했다.

 

반도체 소재·부품 연구자와 중소기업 등이 실제 반도체 공정과 유사한 환경에서 연구결과와 시제품을 실증할 수 있도록 반도체 공공 테스트베드 구축(2019~2022년, 450억원)을 지원한다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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