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베트남 재외동포, 17만2684명 2년만에 38.7%↑

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Thursday, September 26, 2019, 20:09:46

외교부 ‘2019 재외동포현황’ 공개...180개국에 749만 3587명

 

“베트남, 2년만에 8만 6640명 38.7%늘어 재외동포가 17만2684명이네.”

 

2018년 말 세계 180개국에 거주하는 재외동포 수는 750만명이었다. 특히 한국 기업의 투자가 활발한 베트남에 거주하는 동포가 급증했다.

 

외교부는 외국에 체류 또는 거주하는 국가별 재외동포의 현황을 조사, 집계한 ‘2019 재외동포현황’ 자료를 9월 24일 홈페이지를 통해 공개했다.

 

■ 동북아 가장 많은 328만 6363명, 북미 278만 8732명

 

재외동포는 총 180개국에 749만 3587명이 거주하는 것으로 조사되었다. 2016년말 기준(7,430,688명)과 비교할 때 6만 2899명(0.85%)이 증가하였다.

 

지역별로는 동북아시아에 가장 많은 재외동포(328만 6363명)가 거주하며, 이어서 북미 278만 8732명, 유럽 68만 7059명, 남아시아태평양 59만 2441명, 중남미 10만 3617명, 중동 2만 4498명, 아프리카 1만 877명 순이었다.

 

동북아시아(-2.4%), 중남미(-3%)지역은 재외동포 수가 감소세를 보인 반면, 유럽(8.9%), 남아시아태평양(6.2%), 북미(2%)지역은 증가세를 보였다. 중동(-0.9%) 및 아프리카(0.2%)지역은 미미한 증감폭을 기록했다.

 

■ 미국 254만 6952명, 중국 246만 1386명, 베트남 17만 2684명

 

국가별로는 미국(254만 6952명), 중국(246만 1386명), 일본(82만 4977명), 캐나다(24만 1750명),우즈베키스탄(17만 7270명), 베트남(17만 2684명), 러시아(16만 9933명), 호주(16만 7331명), 카자흐스탄(10만 9923명), 필리핀(8만 5125명) 순으로 재외동포가 다수 거주 중인 것으로 파악되었다.

 

중국의 경우, 재외동포 수가 다소 감소하였으며(2016년말 대비 8만 6640명(3.4%) 감소, 베트남은 우리 기업 투자 진출 등의 요인으로 증가세를 보인 것으로 나타났다(2016년말 대비 4만 8226(38.7%) 증가).

 

해외 한인입양인 조사 결과, 유럽 및 호주에 총 4만 7506명이 거주하는 것으로 파악되었다.

 

이 조사는 2018년말 기준으로 우리 재외공관이 주재국 및 겸임국 공식 통계자료 등을 활용하여 조사한 자료를 집계한 것이다. 외교부는 매 2년마다 재외동포현황을 조사하여 공개해 오고 있다.

 

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박명기 기자 pnet21@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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