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‘인천대로’로 바뀌는 경인고속도로...‘주변 개발 본격화’

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Tuesday, October 01, 2019, 14:10:10

인천 구간 일반도로로 전환...나머지 구간 지하화 사업 추진
루원시티 일대 개발 박차...우미건설 10월 신규 분양 나서

 

인더뉴스 진은혜 기자ㅣ 한국 최초의 고속도로 경인고속도로가 일반도로인 인천대로로 변경되면서 인근 개발지역에 관한 관심이 뜨겁다.

 

1일 우미건설에 따르면 인천시는 5개 구간 총 10.45km를 일반도로로 전환할 계획이다. 2009년부터 일반화 사업을 추진한 인천시는 2015년에는 시작점부터 서인천IC까지의 관리권을 이관받는 협약을 정부와 체결한 바 있다.

 

이미 도화IC, 가좌IC를 비롯해 주안산업단지, 인하대학교, 방축, 석남 등 총 6곳의 진출입로가 개설돼 자유롭게 이용할 수 있다. 2025년까지 차로를 좁히고, 평탄화 작업을 벌여 남은 공간에는 보도와 공원도 조성될 예정이다. 높은 방음벽도 모두 철거되고 상가와 빌딩도 들어선다.

 

일반도로로 전환되는 구간 외 나머지 서인천~신월IC 구간에는 지하화 사업이 추진된다. 신월IC부터 여의도까지 연결하는 서울-제물포터널은 내년 10월에 개통할 예정이다. 터널이 개통되면 인천·부천과 서울 간 통행시간이 대폭 단축될 것으로 기대된다.

 

일반화 사업이 속도를 내면서 인근 지역 개발도 빨라지고 있다. 인천시는 인천대로 주변 11곳 260만㎡를 우리 동네 살리기형, 주거지 지원형, 일반 근린형, 중심시가지형, 경제기반형 등으로 나눠 권역별 특색에 맞게 도시재생사업을 진행하고 있다.

 

개발이 가장 활발한 곳은 인천 루원시티 일대다. 경인고속도로 곡선화 구간인 서인천IC 지점에 위치한 이곳은 경인고속도로 일반화 사업의 마지막 구간이기도 하다. 루원시티는 청라국제도시와 인천 지하철 2호선, 인천공항고속도로 등이 가까워 인천에서도 개발 잠재력이 풍부한 곳으로 손꼽힌다. 인근에 7호선 연장선인 석남역(2020년 예정)도 들어설 예정이다.

 

또한 루원시티 공공용지에 제2청사를 비롯해 인재개발원, 도시철도본부 등 7~8개 산하기관과 20곳 이상 민간단체의 입주가 검토되고 있다. 또 인천지방국세청과 서인천세무서, 인천신용보증재단 등의 이전도 논의 중이다.

 

지난해 10월 SK건설(주상복합단지 1,2 블록)이 첫 분양에 나섰다. 청약 평균 경쟁률은 24대 1로 인천 최고 경쟁률을 기록했다. 지난 5월에는 주상복합단지 3블록(신영)에서 공급이 이어졌다.

 

올 10월에는 우미건설이 주상복합단지 7블록에 상업시설 ‘루원시티 앨리스빌’과 주상복합아파트 ‘루원시티 린스트라우스’를 분양한다. 루원시티 앨리스빌은 한가지 테마로 상가가 기획되는 테마형 스트리트몰이다. 도보 약 2분 거리에 인천 지하철 2호선 가정중앙시장역이 있고 문화공원, 정서진중앙시장 등 유동인구가 많은 곳에 있다.

 

루원시티 린스트라우스는 지하 3층~지상 47층, 5개 동, 아파트 전용면적 84㎡ 1412가구, 오피스텔 전용면적 84㎡ 100실로 구성된다. 루원시티 린스트라우스에는 고급 주거단지에 적용되던 실내수영장이 조성될 계획이다.

 

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진은혜 기자 eh.jin@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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