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이재용 부회장 “신기술 개발 박차” 당부...삼성디스플레이, 13.1조 투자 결정

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Thursday, October 10, 2019, 15:10:09

삼성오는 2025년까지 퀀텀닷에 13조 1000억원 투자해 차세대 기술 경쟁력 확보

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ“위기와 기회는 끊임없이 반복되는데, 지금 LCD사업이 어렵다고 해서 대형 디스플레이를 포기하면 안됩니다.”

 

삼성디스플레이(대표이사 이동훈)가 차세대 프리미엄 TV 시장의 기술 리더십을 강화하기 위해 세계 최초로 ‘QD(퀀텀닷, 양자점 물질)디스플레이’ 투자에 나선다. 이재용 삼성전자 부회장이 디스플레이 신기술 개발에 박차를 가해야 한다고 강조한 지 두 달 만이다.

 

삼성디스플레이는 10일 충남 아산캠퍼스에서 ‘신규 투자 및 상생협력 협약식’을 진행하고 2025년까지 ‘QD디스플레이’ 생산시설 구축 및 연구개발에 대한 총 13조 1000억원 규모의 투자 계획을 발표했다.

 

삼성디스플레이는 이번 투자를 통해 대형 디스플레이 기술의 방향을 기존 LCD에서 ‘QD디스플레이’로 전환하고, ‘QD’를 기반으로 대형 디스플레이 산업의 새로운 전성기를 열어갈 계획이다.

 

‘QD’ 상용화에 13.1조원 투자..8만 1000명 간접고용 효과 기대

 

지난 8월 이재용 삼성전자 부회장은 삼성디스플레이 사업장을 찾았다. 이 부회장은 삼성디스플레이의 중장기 사업 전략을 점검하고, 대형 디스플레이 로드맵 등 신기술 전략을 논의했다.

 

최근 중국 패널업체들의 공격적인 투자로 삼성디스플레이의 수익성 악화가 심화되는 가운데, 임직원들에게 힘을 실어주고, 미래 혁신기술에 대한 지속적인 투자를 당부했다.

 

삼성디스플레이는 2025년까지 13조 1000억원을 투자해 아산1캠퍼스에 세계 최초 ‘QD 디스플레이’ 양산라인인 ‘Q1라인’을 구축한다. 신규 라인은 우선 초기 3만장(8.5세대) 규모로 2021년부터 가동을 시작해 65인치 이상 초대형 ‘QD디스플레이’를 생산할 예정이다.

 

이를 위해 기존 8세대 LCD 라인을 단계별로 ‘QD’ 라인으로 전환하며, 2025년까지 생산능력을 점차 확대해 나갈 계획이다. 또한, ‘QD’ 신기술의 상용화를 앞당기기 위해 기존 LCD 분야 인력을 ‘QD’ 분야로 전환 배치하는 한편, QD 재료연구와 공정개발 전문 인력도 신규로 채용할 방침이다.

 

삼성디스플레이의 투자가 본격화되면 신규 채용 이외에도 5년간 약 8만 1000개의 일자리가 만들어질 것으로 전망된다.(한국은행 산업연관표 고용유발계수 기준)

 

‘QD’ 개발 초기부터 부품 공급망 안정화 추진..전후방 협력생태계 강화

 

삼성디스플레이는 ▲공급망 안정화 ▲원천기술 내재화 ▲부품경쟁력 제고 ▲신기술 해외유출 방지를 위해 사업 초기부터 소재·부품·장비 등 국내 후방 업체와의 협력을 강화할 방침이다.

 

또한, 삼성디스플레이는 잉크젯 프린팅 설비, 신규 재료 개발 등 QD디스플레이 양산기술 확보를 위해 국내 업체들과의 파트너십도 확대해 나갈 계획이다. 삼성디스플레이는 국내 디스플레이 전문 인력을 육성하기 위해 국내 대학들과 함께 ‘디스플레이 연구센터’를 설립하는 등 산학협력도 강화할 예정이다.

 

이동훈 사장은 “자연색에 가까운 빛을 내는 반도체 입자인 ‘QD’는 대형 디스플레이 산업의 미래 성장 비전이다. 이번 투자를 통해 프리미엄 디스플레이 시장을 주도해 나가겠다”고 말했다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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