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삼성전자, ‘삼성 파운드리 포럼 2019 뮌헨’ 개최

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Thursday, October 10, 2019, 17:10:30

전년 대비 참석 고객 40%, 전시 부스 50% 이상 증가
국제공인기관 인증획득·표준 적용해 차량용 반도체 성능·안정성 확보

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자가 10일(현지시간) 독일에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2019 뮌헨’을 열고 유럽에서 관심이 높은 자동차용 반도체 솔루션을 비롯해 최첨단 파운드리 공정 포트폴리오를 소개했다.

 

이번 포럼에는 작년 대비 40% 이상 늘어난 유럽 지역 팹리스 고객과 파트너들이 참가했으며, 자사의 기술과 비전을 공유하기 위해 전시 부스를 연 기업도 60% 증가하는 등 삼성의 파운드리 사업에 대한 높아진 관심을 확인할 수 있었다.

 

삼성전자는 “자동차, 컨슈머, 네트워크 반도체 등 다양한 응용처에서 저전력 FD-SOI, RF(무선통신), 임베디드 메모리와 같은 특화된 공정을 활용하는 유럽지역 고객들을 위해 폭넓은 파운드리 솔루션을 제공하겠다”고 밝혔다.

 

자율주행∙전기 자동차용 반도체 파운드리 플랫폼 주목받아

 

삼성전자는 포럼을 통해 최첨단 고성능 12인치 EUV 공정에서부터 경제성 있는 8인치 공정까지 광범위한 파운드리 솔루션을 소개했다. 또한 향후 높은 성장이 예상되는 자율주행, 5G, 고성능 컴퓨터(HPC), IoT 등에 적용하는 공정과 패키지 필수 기술을 하나로 묶은 ‘파운드리 플랫폼’을 소개했다.

 

특히 이번 포럼에서는 자율주행과 전기 자동차 등에 사용할 수 있는 자동차용 반도체 파운드리 플랫폼이 주목을 받았다.

 

삼성전자는 자율주행과 인포테인먼트 시스템 등의 자동차용 반도체에 성능과 안정성이 검증된 28나노 FD-SOI, 14나노 공정을 활용하고 있다. 향후 첨단 8나노 공정으로 확대해 고객 수요에 대응해 나갈 계획이다.

 

삼성전자는 지난 5월, 자동차 기능안전 국제 표준인 ‘ISO26262 기능안전관리(FSM, Functional Safety Management)’ 인증을 취득하며 자동차용 반도체 IP 설계 능력을 검증 받은 바 있다.

 

또한, 자동차 품질경영 시스템 ‘IATF 16949’와 자동차용 반도체 신뢰성 평가규격인 ‘AEC-Q100’에 만족하는 제품을 생산하며 자동차용 반도체 업체로서의 글로벌 경쟁력도 높여나가고 있다.

 

삼성전자 파운드리 사업부 정은승 사장은 기조연설에서 “매년 더 많은 고객과 파트너들이 파운드리 포럼을 찾아주는 것을 보며 삼성전자 파운드리가 고객과 함께 성장하고 있음을 실감한다”며 “신뢰를 최우선으로 하는 삼성전자만의 첨단 파운드리 기술과 에코시스템으로 최고의 파트너가 될 수 있도록 더욱 노력하겠다”고 말했다.

 

삼성전자는 이번 독일 지역 행사를 끝으로 5월부터 시작된 '삼성 파운드리 포럼 2019' 일정을 마무리했다.

 

한편, 삼성전자는 10월 17일 미국 산호세에서 개발자들을 위한 ‘SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼’을 처음으로 개최해 신규 응용처를 중심으로 IP, 자동화 설계 툴(EDA, Electronic Design Automation), 패키지 등의 에코시스템을 상세히 소개할 계획이다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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