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[iN THE IPO]케이엔제이 “국산화 발맞춰 탄화규소 제품군 확장”

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Friday, October 11, 2019, 14:10:32

이달 16~17일 청약 거쳐 상장 예정..공모 자금 통해 탄화규소 포커스링 공장 증설 등에 투자

 

인더뉴스 김현우 기자ㅣ “코스닥 상장을 계기로 반도체 부품과 디스플레이 제조 기계 분야에서 글로벌 선도 기업으로 도약해 가겠다”

 

반도체 부품과 디스플레이 제조용 기계 제조 전문기업 케이엔제이의 심호섭 대표는 11일 여의도에서 기자간담회를 갖고 이같이 코스닥 상장에 대한 포부를 밝혔다.

 

케이엔제이는 디스플레이 제조용 장비를 주 사업으로 지난 2005년 설립됐다. 이후 2010년 반도체 공정용 부품 소재 사업까지 사업영역을 확장해 회사 포트폴리오를 발전시켜 왔다.

 

현재 회사의 주요 제품으로는 ▲탄화규소 포커스 링 ▲탄화규소 박막 코팅 제품 ▲에지 그라인더(Edge Grinder) ▲패널 에지면 검사기 등이 있다. 특히 반도체 공정용 소모품인 탄화규소 포커스 링은 2016년 상용화 성공 이후 회사의 수익성 확보와 원가 구조 개선에 핵심적인 역할을 수행하고 있다.

 

회사측은 반도체 공정에서 기존에 사용되던 실리콘 포커스 링과 비교했을 때 내구성과 내화학성이 뛰어나 반도체 제조업체를 중심으로 수요가 증가하고 있기 때문이라고 설명했다.

 

심 대표는 “탄화규소(SiC) 코팅 분야 원천기술을 바탕으로 현재 주력제품인 탄화규소 포커스 링(SiC Focus Ring)의 시장점유율 확대는 물론 부품 소재 국산화 정책에 발맞춰 탄화규소 관련 제품 군을 확장해 나갈 계획”이라고 말했다.

 

케이엔제이는 현재 약 1800억원으로 추정되는 탄화규소 링 시장 규모가 계속 성장할 것으로 보고 추가 설비를 증설 중이다. 충남 당진 기존 공장 인근에 신공장을 건설 중이며 이 공장이 완공되면 전체 생산 능력은 현재보다 3배 이상 증가할 예정이다.

 

이번 공모 금액은 총 73억 5400만원에서 96억 3000만원 사이다. 공모 자금은 탄화규소 포커스링 공장 증설과 제품 연구개발 비용, 그 외 운영자금 등에 활용할 계획이다.

 

공모 주식수는 총 87만 5472주로 주당 공모희망밴드는 8400원~1만 1000원이다. 오늘(11일)까지 수요예측을 거쳐 오는 16~17일에 청약을 진행하고 코스닥 시장에 상장할 계획이다. 주관사는 미래에셋대우가 맡았다.

 

한편 케이엔제이의 지난해 온기 실적은 연결기준 매출액 511억 674만원, 영업이익 9억 1386만원, 당기순이익 16억 9828만 원이다. 올해 상반기 실적은 매출액 382억 8594만원, 영업이익 32억 5459만 원, 당기순이익 34억 170만 원을 기록했다.

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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