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서울서 ‘입주 11~20년 이하 아파트’ 거래 최다...‘10건 중 4건’

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Tuesday, October 15, 2019, 16:10:34

집값 비싼 소형 신축보다 주거환경 양호한 중형 구축 선택

 

인더뉴스 진은혜 기자ㅣ 서울에서 입주 연차 구간별로 가장 많이 거래된 아파트는 입주 11~20년 이하 아파트인 것으로 조사됐다.

 

15일 부동산114가 국토교통부의 최근 3년간 실거래가 자료를 분석한 결과 입주 11년~20년 이하 아파트의 매매 거래 비중이 41.6%로 타 입주 연차 구간보다 높았다. 이어 ▲입주 21~30년 이하(24.5%) ▲10년 이하(22.3%) ▲30년 초과(11.6%) 순으로 나타났다.

 

부동산114 관계자는 “입주 11~20년 이하 구축 아파트의 거래 비중이 높은 이유는 주택시장이 실수요 위주로 재편된 영향이 큰 것으로 판단된다”며 “실수요 입장에서는 비싼 새 아파트나 투자성이 강한 재건축 아파트보다 합리적인 가격대에 준수한 품질을 갖춘 구축 아파트를 선택하는 편이 덜 부담되기 때문”이라고 설명했다.

 

올 9월 말까지 거래된 서울 아파트의 평균 매매가격을 입주 연차 구간별로 살펴보면 10년 이하와 30년 초과 아파트의 평균 매매가격은 각각 9억 714만원, 10억 725만원으로 9억원을 초과했다. LTV 40%를 고려하면 대출금 외에 평균 6억원 정도의 자금이 있어야 살 수 있다는 의미다.

 

반면 11~20년 이하 아파트의 평균 매매가격은 7억 9193만원으로 4억원대 현금 보유자도 대출을 받아 매수할 수 있다. 부동산114 관계자는 “올해 9월까지 전세 거래된 서울 아파트의 보증금 평균이 4억 1896만원이라는 점을 감안할 때 전세 임차인이 매매 전환하기에도 큰 부담이 없는 수준”이라고 말했다.

 

가격으로만 따지면 입주 21년~30년 이하 구간 아파트가 가장 저렴하다. 입주 21년~30년 이하 구간 아파트의 평균 매매가격은 5억 7249만원으로 11~20년 이하 아파트보다 2억원 가량 낮다. 그럼에도 불구하고 20년~30년 차 아파트의 거래 비중이 낮은 이유는 노후가 심해 주거환경이 불편하기 때문으로 분석된다.

 

 

업계는 서울 아파트 시장에서는 신축보다 구축의 거래가 활발해 선호도와 실제 매매거래 간 괴리가 발생하는 것으로 봤다. 인기 높은 새 아파트의 가격이 큰 폭으로 올랐지만, 가용자금이 한정된 실수요자가 차선의 선택을 하면서 이런 현상이 나타나는 것이다. 실제로 부동산114에 따르면 서울 아파트값은 2017년 초부터 2019년 9월 말까지 38.7% 올랐는데, 1~5년 차 새 아파트값은 43.2% 상승해 큰 오름폭을 기록했다.

 

부동산114 관계자는 “지금처럼 신축 중심의 서울 아파트 가격 오름세가 지속되고, 청약 당첨이 어려워지는 상황에서는 상대적으로 양호한 주거환경을 갖춘 구축 아파트에 눈을 돌리는 것이 내 집 마련의 틈새시장이 될 수 있다”고 조언했다.

 

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진은혜 기자 eh.jin@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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