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삼성전자, 파운드리 생태계 활성화 위한 ‘SAFE 포럼’첫 개최

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Friday, October 18, 2019, 10:10:07

美실리콘벨리서 개최, 약 400명 참석..파트너 부스 40여 개 마련
삼성전자와 팹리스, 파트너 한자리 모여 기술 동향·솔루션 공유

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자가 지난 17일(현지시간) 미국 산호세 삼성전자 DSA 사옥에서 파운드리 생태계 개발자들과 기술 동향을 공유하고 협력을 강화하는 ‘세이프 포럼’(SAFE, Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 을 개최했다.

 

이번 ‘세이프 포럼’은 파트너사가 직접 반도체 제품의 설계 및 생산에 필수적인 ▲EDA(전자설계자동화) ▲IP(설계자산) ▲클라우드 ▲디자인 ▲패키지 등 각 분야의 솔루션을 설명하고 협의할 수 있는 기회를 제공하기 위한 행사다.

 

앞서 진행한 ‘삼성 파운드리 포럼(SFF)’은 삼성의 기술 로드맵과 장점을 고객들에게 소개하는 행사다. 이번 ‘세이프 포럼’은 삼성의 검증을 마친 설계 지원 솔루션을 파트너사들이 직접 고객들에게 상세히 제시해 보다 심도 깊고 효율적인 협업이 이루어질 수 있도록 마련된 자리다.

 

올해 처음 열린 이 행사에는 팹리스 고객 및 파트너사의 개발자 400여 명이 참석해, 최신 반도체 설계 트렌드에 맞추어 삼성의 파운드리 에코시스템(SAFE)이 제공하는 유연하고 편리한 설계 환경의 장점을 공유했다.

 

최근 들어 첨단 시스템 반도체 제품은 제한된 면적에 복잡 다양한 기능을 구현해야 한다. 성능, 전력, 보안, 디자인, 집적도 등 제품 설계시 최적화를 위한 고려 사항도 기하 급수적으로 늘어나고 있다.

 

삼성전자는 이러한 시스템 반도체 트렌드에 적극 대응하기 위해 2018년 3월 ‘SAFE’프로그램을 발표하고 파트너사와 팹리스 고객간 밀접한 협력으로 설계 부담을 최소화하고 최상의 결과물을 제공할 수 있도록 노력해 왔다.

 

이날 포럼은 파운드리사업부 디자인플랫폼개발실 박재홍 부사장의 키노트를 시작으로 고성능컴퓨팅(HPC), 전장(Automotive), 사물인터넷(IoT)을 중심으로 구성된 12개의 세분화된 세션이 진행됐다.

 

또한 15개 파트너사 연사 30여명이 참가해 고성장이 예상되는 신규 응용처의 반도체 제품을 빠르고 효율적으로 설계할 수 있는‘플랫폼 설계 인프라’를 소개했다.

 

참석자들은 강연과 더불어 행사장에 마련된 40여 개의 파트너 부스를 통해 새로운 아이디어를 반도체 제품으로 구현하기 위한 최적의 솔루션을 살피기도 했다.

 

삼성전자 파운드리 사업부 박재홍 부사장은 “‘SAFE’프로그램은 지난 2년간 뛰어난 역량을 가진 파트너사를 확대하는 양적 성장과 더불어 고객에 대한 유연한 설계 지원과 파트너, 고객, 파운드리 사업부 간 밀접한 협력을 강화하는 등 질적으로도 성장해왔다”며 “앞으로도 고객들이 삼성 파운드리의 기술 강점들을 보다 편리하게 활용할 수 있도록 접근성을 높이기 위한 노력을 지속하겠다” 고 말했다.

 

삼성전자는 내년에도 ‘삼성 파운드리 포럼’과 ‘세이프 포럼’을 지속적으로 개최해 파운드리 시장에서 신뢰와 위상을 높여갈 계획이다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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