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[코스피 마감] 닷새째 상승...매물 소화로 상승폭은 축소

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Wednesday, November 06, 2019, 15:11:59

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 코스피가 닷새째 상승 마감했습니다. 그러나 장초반 2150선을 돌파했던 코스피는 지속된 상승 피로감에 매물 소화 과정을 거치며 그 폭을 축소하는 모습을 보였습니다.

 

6일 코스피 지수는 전 거래일보다 1.51포인트(0.07%)가 올라 2144.15에 거래를 마쳤습니다.

 

이경민 대신증권 연구원은 “오전 장 중에는 삼성전자를 중심으로 외국인 매수가 유입돼 2150선에 도달했으나 이후 기관 매도폭이 확대되며 다시 2140선으로 후퇴했다”며 “최근 연이은 상승세를 보인 이후 추가 상승을 이끌만한 새로운 동력 부재로 상승 탄력은 제한적인 양상”이라고 분석했습니다.

 

서상영 키움증권 투자전략팀장은 “미중 정상회담 일정과 장소 발표가 지연되고 있으며 관세 철폐에 대한 이견이 존재한다는 보도가 나오자 재차 매물이 출회되며 보합권을 등락했다”며 “8월 중순 이후 한국 증시 상승폭이 여타 국가들에 비해 컸던 만큼 시장은 매물 소화 과정이 이어지고 있다고 판단된다”고 말했습니다.

 

수급적으로는 외국인이 홀로 2359억원 가량의 주식을 사들였습니다. 기관과 개인은 각 2106억원, 698억원 가량의 주식을 팔아치웠습니다.

 

업종별로는 장초반 상승 우위 흐름이 마지막에는 뒤집혔습니다. 특히 증권은 1% 이상 빠졌고 기계, 운수장비, 은행 등이 1% 가까이 하락률을 나타냈습니다. 이밖에 철강금속, 보험, 건설업, 금융업, 의료정밀, 종이목재 등이 약세를 기록했습니다.

 

반면 전기가스업은 5% 가까이 상승률을 나타냈습니다. 섬유의복(3.73%), 유통업(1.64%)도 강세로 마감했습니다. 이밖에 전기전자, 음식료품, 비금속광물, 제조업 등이 상승 마감했습니다.

 

시가총액 상위종목들도 하락 우위 흐름으로 장을 마쳤습니다. SK하이닉스(000660), 현대차(005380), LG화학(051910)이 1% 이상 빠진 것을 비롯해 셀트리온, 현대모비스, 신한지주 등이 약세로 마감했습니다.

 

대장주인 삼성전자만 홀로 1% 이상 상승률을 보였습니다. 삼성전자우, NAVER, 삼성바이오로직스는 보합으로 마쳤습니다.

 

이날 거래량은 4억 250만주, 거래대금은 5조 5076억원 가량을 기록했습니다. 상한가 1개를 포함해 461종목이 상승했고 하한가 없이 350종목이 하락했습니다. 보합에 머무른 종목은 93개였습니다. 한편 코스닥은 2.50포인트(0.37%)가 떨어져 669.68을 가리켰습니다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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