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[코스피 마감] 상승 피로 누적에 7일만에 소폭 하락

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Friday, November 08, 2019, 16:11:00

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 코스피가 7거래일 만에 하락 마감했습니다. 미중 무역협상 훈풍에도 불구, 외국인 투자자의 매물 출회에 영향을 받은 것으로 풀이됩니다.

 

8일 코스피 지수는 전 거래일보다 7.06포인트(0.33%)가 떨어져 2137.23에 거래를 마쳤습니다.

 

전날 가오펑 중국 상무부 대변인은 정례 브리핑에서 “양측은 협상 진전에 따라 단계적으로 고율 관세를 취소하기로 동의했다”고 밝힌 바 있습니다.

 

서상영 키움증권 투자전략팀장은 “한국 증시는 전일 중국 상무부의 단계적 관세 철회 발표에 힘입어 상승 출발했다”며 “그러나 여전히 장소와 일정 등이 발표되지 않는 등 불확실성이 이어지고 있어 외국인의 매물 출회 여파로 하락 전환했다”고 설명했습니다.

 

김두언 KB증권 연구원은 관세 철회는 향후 3단계로 진행될 것으로 내다봤습니다. 그는 “1단계는 오는 12월 15일 예고됐던 관세를 유예하고 지난 9월 1일부터 부과했던 1120억달러의 관세 15%를 내년 1월부터 철회할 것”이라고 말했습니다.

 

이어 “2단계는 기존 2500억달러 25% 관세를 예고대로 30%로 인상하지 않고 오히려 15%로 인하할 것”이라며 “3단계는 기존에 부과된 2000억달러 관세를 2020년 하반기부터 모두 철회하는 것”으로 예상했습니다.

 

이에 따라 외국인은 홀로 939억원 가량의 주식을 팔아치웠습니다. 기관과 개인은 각 561억원, 67억원 가량의 주식을 순매수했습니다.

 

업종들은 혼조세였습니다. 섬유의복은 2% 이상 올랐고 철강금속, 보험, 기계, 종이목재 등은 1% 내외로 오름세였습니다. 증권, 금융업, 운수창고, 전기가스업, 화학, 건설업 등도 강세였습니다.

 

반면 의료정밀은 2% 이상 내림세고 의약품, 전기전자 등은 1% 이상 빠졌습니다. 이밖에 음식료품, 제조업, 유통업, 통신업 등이 약세였습니다.

 

시가총액 상위종목들은 하락 우위 흐름을 나타냈습니다. 특히 삼성바이오로직스(207940)은 3% 이상 빠졌고 삼성전자우(000660), 현대모비스(012330)은 2% 이상 하락률을 보였습니다. 이밖에 삼성전자, SK하이닉스, NAVER, 셀트리온이 약세로 마감했습니다.

 

반대로 LG화학은 2% 이상 올랐습니다. 신한지주도 1% 이상 올랐고 현대차도 소폭 상승하며 장을 마쳤습니다.

 

이날 거래량은 5억 6485만주, 거래대금은 5조 7985억원 가량을 기록했습니다. 상한가 1개를 포함해 490종목이 상승했고 하한가 없이 322종목이 하락했습니다. 보합에 머무른 종목은 92개였습니다. 한편 코스닥은 1.55포인트(0.23%)가 떨어져 664.60을 기록했습니다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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