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‘대용량 정보를 빠르게’...SK텔레콤, 인천도시철도 LTE-R 구축 나선다

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Monday, December 02, 2019, 14:12:52

인천시와 함께 인천도시철도 1호선 송도랜드마크시티역 LTE-R 구축 계약 체결

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣSK텔레콤(대표이사 사장 박정호)이 인천도시철도 LTE-R(Long Term Evolution-Railway, 철도통합무선통신서비스) 구축 사업자로 선정됐습니다.

 

SK텔레콤은 지난 11월 29일 인천광역시와 인천도시철도 송도랜드마크시티역 LTE-R 구축 계약을 체결했는데요. LTE-R이란 LTE 기술을 철도에 적용해 개발한 무선통신시스템으로 음성, 영상, 데이터 등 대용량 정보를 빠르게 주고 받을 수 있는 점이 특징입니다.

 

이번 계약에 따라 양측은 인천1호선(연장 29.4Km, 29개 정거장, 총 34편성)과 인천2호선(연장 29.1Km, 27개 정거장, 총 37편성)에 구축 당시부터 사용해 오던 음성 위주의 통신시스템(VHF) 대신 LTE-R을 적용해 나갈 방침입니다.

 

LTE-R 적용 시 대용량 정보를 빠르게 전송할 수 있는데요. 특히 실시간 영상 전송, 그룹통화, 문자 등 다양한 방식으로 관제실, 기관사, 역무원, 구조요원 등이 동시에 정보를 주고 받을 수 있어 지하철 운행 안전성·편의성이 향상될 것으로 기대됩니다.

 

두 회사는 먼저 인천 1·2호선 전체를 아우르는 LTE-R 주제어장치(EPC)를 포함, 센터 시스템을 인천교통공사 중앙관제실에 구축할 예정입니다.

 

또한 국제업무지구역(송도6역)∼송도랜드마크시티역(송도7역) 본선 구간에는 LTE-R 송·수신 설비를 설치하고, 신설 정거장에는 LTE-R 관제 설비와 정거장 설비를 설치할 계획입니다. 두 회사측은 이번 사업을 2020년 12월말까지 준공하는 것이 목표입니다.

 

SK텔레콤은 이번 사업 수주로 지금까지 LTE-R 구축을 추진해 온 부산, 김포, 서울, 인천도시철도의 메인 센터 관제 시스템을 모두 구축하게 됐습니다. 현재까지 LTE-R 구축을 추진한 모든 전국 지자체에 메인 센터 관제 시스템을 구축하는 이통사는 SK텔레콤이 유일합니다.

 

SK텔레콤은 올해 ▲부전마산 복선전철 LTE-R 사업 ▲군장산단 인입철도 외 4개 사업 고밀도파장분할다중화장치 구매설치 사업 ▲서울7호선 석남연장선 LTE-R 사업을 수주해 구축 중입니다.

 

또한 최근에는 올해 최대 철도 통신망 사업인 ‘전라선 개량 및 군장산단 인입철도 등 4개 사업 LTE-R 구매설치 사업’의 우선 협상자로도 선정되는 등 철도 통신망 분야에서 뛰어난 경쟁력을 보여주고 있습니다.

 

최일규 텔레콤 B2B사업단장은 "지하철 재난 상황에 철저히 대비하려면 국가재난안전통신망과 연계되는 LTE-R 구축이 필수적”이라며 “오랜 기간에 걸쳐 축적해 온 최고의 이동통신 기술력으로 완벽한 LTE-R을 구축해 나갈 것”이라고 말했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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