검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Electronics 전기/전자

세계 반도체 장비 매출액, 2020년 반등...대만·중국 경쟁 치열

URL복사

Wednesday, December 11, 2019, 11:12:32

SEMI 전망치 발표..한국, 지난해 1위서 3위로 주저앉아

 

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ전 세계 반도체 장비 매출액이 하락세를 이어가는 가운데 지난해 매출 1위를 기록한 우리나라가 올해에는 대만과 중국에 선두자리를 빼앗길 것이라는 전망이 나왔습니다. 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 업체가 실적에 타격을 입으면서 장비 투자에 인색해졌기 때문입니다.

 

시장은 내년에 저점을 기록한 뒤 2020년부터 회복세를 보일 전망입니다. 하지만 반등과 동시에 중국이 급부상하면서 한국이 반도체 장비 매출액 1위 자리를 재탈환하기는 당분간 어려울 것으로 보입니다.

 

11일 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면 올해 전 세계 반도체 장비 매출액은 역대 최고치인 지난해 644억 달러에서 약 10.5% 하락한 576억 달러를 기록할 전망입니다.

 

 

시장을 분야별로 살펴봐도 상황이 좋지 않습니다. 웨이퍼 팹 장비는 499억 달러(전년 대비 9% 하락), 조립 및 패키징 분야 29억 달러(전년 대비 26.1% 하락), 반도체 테스트 장비 48억 달러(전년 대비 14% 하락) 등 전반적인 하락세가 나타날 것으로 보입니다.

 

대만은 올해 55.3% 성장률을 보이며 한국을 제치고 전 세계에서 가장 큰 장비 시장으로 도약할 것으로 예상됩니다. 북미지역에서도 33.6% 고성장세가 전망되며 중국은 2년 연속으로 장비 시장 2위라는 입지를 다질 것으로 보입니다.

 

반면 한국은 메모리 반도체 가격 부진으로 인한 실적 타격으로 삼성전자와 SK하이닉스가 투자액을 감축하면서 존재감이 줄 것으로 예상됩니다. 지난해 176억 달러로 장비 매출액 1위를 기록했던 우리나라는 올해 3위로 내려앉았습니다. SEMI 전망치에 따르면 하락세는 내년까지 지속할 것으로 보입니다.

 

하지만 세계 반도체 장비 시장은 올해 저점에 도달한 뒤 내년부터 점차 회복될 것으로 예상됩니다. 첨단 로직 반도체와 파운드리(수탁생산) 분야 투자, 중국의 신규 프로젝트에 더해 메모리 분야 투자가 2020년 시장 회복을 이끌 것으로 전망됩니다.

 

‘SEMICON Japan 2019’에서 전망한 내용에 따르면 내년 반도체 장비 매출액은 올해보다 5.5% 증가한 608억 달러를 기록한 뒤 이듬해인 2021년에는 668억 달러로 역대 최고치를 경신할 것으로 예상됩니다.

 

내년 성장세가 두드러지는 곳은 유럽지역입니다. 45.9%가 증가한 33억 달러에 이를 것으로 보입니다. 대만은 내년에도156억 달러 매출액을 올리며 2년 연속 최대 규모 시장 지위를 유지합니다. 같은 기간 중국은 149억 달러, 한국은 103억달러를 달성할 것으로 보입니다.

 

2021년에는 반도체 장비 판매에 포함되는 모든 분야에서 성장세가 나타날 전망이며 이 시기에 메모리 소비 회복도 본격화됩니다. 중국이 160억 달러로 1위를 탈환하며 한국은 2위, 대만은 3위로 뒤를 이을 것으로 예상됩니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너