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[코스피 마감] 미중 무역협상 결과 발표 후 관망세…소폭 하락

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Monday, December 16, 2019, 16:12:15

인더뉴스 김현우 기자ㅣ코스피가 약보합으로 마쳤습니다. 1단계 미중 무역협상 관련 상세 내용이 모두 발표되지 않은 상황에서 투자자들의 관망세가 짙어진 모습입니다.

 

16일 코스피 지수는 전 거래일보다 2.10포인트(0.10%)가 떨어져 2168.15에 거래를 마쳤습니다.

 

지난 주말 트럼프 미국 대통령은 “중국과 큰 규모의 1단계 무역합의에 도달했다”며 “15일로 예정됐던 대중국 관세는 부과되지 않을 것”이라고 밝혔습니다. 다만 각론에 대해선 이견이 여전하고 지적재산권 문제 등이 걸린 2~3단계 협상은 난항이 예상될 것이라는 게 전문가들의 평가입니다.

 

서상영 키움증권 투자전략팀장은 “한국 증시는 무역협상 결과에 대한 실망에도 불구하고 향후 심리지표 개선 기대가 유입되며 보합권을 유지했다”며 “특히 반도체 가격 상승이 이어지고 있어 관련 종목의 상승전환이 긍정적인 영향을 줬다”고 설명했습니다.

 

이경민 대신증권 연구원은 “단기적으로 추가 상승탄력이 제한적이거나 등락과정이 전개될 가능성은 열어놓아야 한다”며 “1차 무역합의 기대를 상당부분 선반영한 상황에서 기대와 현실 간의 괴리가 존재하고 협정문 결정까지 미중 힘겨루기, 중국의 농산물 수입규모에 대한 논란 등이 예상되기 때문”이라고 내다봤습니다.

 

다만 “무역합의, 대중국 관세율 인하라는 대세가 흔들리지 않는 한 최종 서명까지 발생하는 불확실성 변수는 단기 노이즈”라며 “향후 코스피 단기 등락은 이보전진을 위한 일보 후퇴 과정”이라고 강조했습니다.

 

수급적으로는 외국인과 개인이 각 1905억원, 2146억원 가량 주식을 팔아치우며 지수 하락을 이끌었습니다. 기관은 홀로 3768억원을 사들였습니다.

 

시가총액 상위 10개사는 혼조세 마감했습니다. NAVER(035420), LG화학(051910)이 2% 내외로 오른 것을 비롯해 SK하이닉스, 삼성전자우 등이 오름세였습니다. 반대로 현대차(005380), 셀트리온는 1% 이상 빠졌고 삼성바이오로직스, POSCO 등은 내림세였습니다. 삼성전자와 현대모비스는 보합으로 마쳤습니다.

 

업종별로는 하락 우위 흐름을 나타냈습니다. 특히 보험, 은행 등은 1% 이상 떨어졌습니다. 이밖에 금융업, 건설업, 전기가스업, 음식료품, 운수장비, 의약품, 운수창고, 의료정밀, 증권, 유통업 등이 약세였습니다. 반면 통신업, 화학, 섬유의복, 기계, 서비스업, 전기전자, 종이목재 등이 오름세 마감했습니다.

 

이날 거래량은 3억 7055만주, 거래대금은 4조 4679억원 가량을 기록했습니다. 상한가 2개를 포함해 448종목이 상승했고 하한가 없이 372종목이 하락했습니다. 보합에 머무른 종목은 82개였습니다.

 

한편 코스닥은 0.99포인트(0.15%)가 올라 644.44를 기록했습니다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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