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[코스피 마감] 美 이란 공습 소식에 상승폭 제한...강보합

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Friday, January 03, 2020, 16:01:32

인더뉴스 김현우 기자ㅣ코스피가 강보합으로 마감했습니다. 장초반 1%대 상승률을 보이던 증시는 미국의 이란 공습 소식과 함께 그 폭을 대폭 반납했습니다.

 

3일 코스피 지수는 전 거래일보다 1.29포인트(0.06%)가 올라 2176.46에 거래를 마쳤습니다. 장초반 코스피는 중국 인민은행이 지급준비율을 인하하는 등 경기부양정책 발표에 힘입어 2200선까지 터치했었습니다.

 

하지만 미국이 이라크 바그다드 표적 2개에 대규모 공습을 단행하고 이란 군부 실세인 거셈 솔레이마니 쿠드스 사령관이 사망했다는 소식이 전해지면서 상승폭은 대폭 감소했습니다. 친(親)이란 시아파 민병대를 이끄는 아부 마흐디 알무한디스도 함께 숨지면서 중동 불안이 커진 모습입니다.

 

한대훈 SK증권 연구원은 “트럼프 행정부가 2018년 이란핵합의를 탈퇴하고 이란에 대한 경제적 제재가 나타나면서 미국과 이란 갈등이 시작됐다”고 설명했습니다.

 

이어 “작년 5~6월 호르무즈 해협 부근 유조선 피격, 이란군의 미국 무인 정찰기 격추, 사우디아라비아의 핵심 석유시설 피격 등 대형 사건이 잇따르며 갈등이 심화되다가 이번 공습으로 최고조에 다다랐다”고 덧붙였습니다.

 

수급적으로는 개인과 외국인이 각 2714억원, 2648억원 가량의 주식을 사들이며 지수 상승을 이끌었습니다. 기관은 홀로 5451억원을 팔아치웠습니다.

 

시가총액 상위 10개사는 하락 우위 흐름을 나타냈습니다. 삼성바이오로직스(207940), 현대차(005380), 셀트리온(068270) 등이 1% 이상 빠진 것을 비롯해 SK하이닉스, NAVER, LG화학 등이 약세였습니다. 반면 삼성전자, 삼성전자우, 현대모비스, POSCO는 오름세였습니다. 특히 현대모비스는 1% 이상 올랐습니다.

 

업종별로는 상승업종과 하락업종이 비슷했습니다. 의약품, 운수창고, 의료정밀 등이 1% 내외로 빠진 것을 비롯해 전기가스업, 음식료품, 비금속광물, 종이목재, 건설업, 통신업, 운수장비 등이 내림세였습니다. 반대로 증권, 섬유의복, 은행, 전기전자, 금융업, 철강금속, 서비스업, 기계, 유통업, 제조업 등은 빨간불을 켰습니다.

 

이날 거래량은 6억 2252만주, 거래대금은 5조 6471억원 가량을 기록했습니다. 상한가 1개를 포함해 390종목이 상승했고 하한가 1개를 포함해 421종목이 하락했습니다. 보합에 머무른 종목은 98개였습니다.

 

한편 코스닥은 4.09포인트(0.61%)가 떨어져 669.93을 기록했습니다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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