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비피도, 보유 균주 류마티스관절염 개선용으로 미국 특허 취득

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Monday, January 13, 2020, 13:01:52

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 비피도(238200)는 미국 특허청으로부터 비피도박테리움을 함유한 류마티스관절염 개선용, 치료용 또는 예방용 조성물에 대한 특허 등록을 완료했다고 13일 밝혔다.

 

이번 특허로 비피도는 지난 2039년까지 Bifidobacterium bifidum ATT균주 조성물을 이용한 류마티스 관절염 개선효과에 대한 독점적 권한을 보장받는다.

 

회사 관계자는 “기존에 판매중인 류마티스 관절염 치료제는 점막계의 문제를 일으킬수 있는 부작용이 보고됐다”며 “반면 자사가 보유한 ATT균주는 해당 부작용이 없고 기존 치료제와 병용투여 때 상당한 개선효과를 나타냄에 따라 인체의 면역을 조절해 자가면역질환 중 하나인 류마티스관절염을 치료한다”고 설명했다.

 

이어 “이번 미국특허 등록은 해외 임상을 위해 필수요건이면서도 매우 까다로운 부분”이라며 “하지만 철저한 연구와 근거 자료들을 바탕으로 당사의 기술력과 글로벌 특허 전략으로 미국 특허등록에 성공할수 있었다”고 덧붙였다.

 

또한 “회사내부적으로도 이번 특허취득을 마이크로바이옴 신약으로 가는 단계에 있어서 굉장히 높게 평가하고 있다”고 전했다.

 

이 관계자는 “가톨릭대학교 서울성모병원과 공동연구를 통해 500종 이상의 후보 균주 중에서 장내면역조절로 류마티스관절염 증상을 개선, 치료, 예방하는 능력이 가장 우수한 것으로 밝혀져 이번 특허를 출원하고 등록하게 된 것”이라고 강조했다.

 

현재 비피도는 과학기술정보통신부의 지원을 받아 지난 2017년부터 2022년까지 가톨릭대학교 서울성모병원 류마티스내과 박성환 교수팀과 함께 류마티스관절염 환자를 대상으로 장내균총 특이 면역조절 시스템을 이용한 류마티스관절염 파마바이오틱스 치료 기술 개발 연구를 진행중에 있다.

 

해당 연구 결과를 바탕으로 ATT 균주를 단기적으로는 자체 프로바이오틱스 상용화 플랫폼인 BIFIDO-Express platform을 통해 대량생산과 건강기능식품 원료로 상용화할 예정이다. 장기적으로는 식약처와 협의를 통해 류마티스관절염 치료제 개발을 위한 임상연구에 활용할 계획이다.

 

한편 핵심균주 Bifidobacterium bifidum BGN4, Bifidobacterium longum BORI는 미국 FDA의 NDI 인증은 물론 국내 GRAS 등급 등재까지 완료했다.

 

비피도 관계자는 “비피도는 국내 프로바이오틱스 제조 업체 100여개 가운데 독자적으로 균주를 개발해 완제품까지 생산하는 소수 업체 가운데 하나”라며 “자체개발한 균주가 올해 미국 FDA로부터 GRAS인증을 받는 등 타사와는 차별화된 경쟁력을 보유하고 있다”고 설명했다.

 

이어 “향후 해당 특허를 기반으로 마이크로바이옴 조절을 통한 류마티스관절염 치료제 개발에 속도를 높일 방침”이라고 덧붙였다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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