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한은, 올해 첫 금통위서 금리 ‘동결’ 선택...연 1.25% 유지

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Friday, January 17, 2020, 11:01:02

수출·경기 회복 기대감, 정부 부동산정책 의지 등 작용
경기 회복세 뚜렷하지 않으면 추가 금리인하 가능성 有

 

인더뉴스 박민지 기자ㅣ한국은행은 17일 올해 첫 금융통화위원회를 열고 1월 기준금리를 1.25%로 동결했습니다. 지난해 두 차례 기준금리 인하 효과를 지켜보겠다는 기조를 이어간 것입니다.

 

한은은 지난해 10월 기준금리를 연 1.50%에서 역대 최저치인 1.25%로 낮춘 이후 두 차례 연속 동결했습니다. 올해 들어 경기 회복세에 대한 기대감이 나타나고 있는 데다 정부가 부동산 시장 안정화 의지를 강력히 드러내고 있어 금리인하 속도 조절에 들어간 것으로 풀이됩니다.

 

최근 일부 경제지표 개선이 금리동결의 가장 큰 배경으로 지목됩니다. 이달 들어 열흘간(1~10일) 수출이 지난해 같은 기간보다 5.3% 늘었습니다. 특히 반도체 수출은 11.5% 증가했습니다. 또 경제협력개발기구(OECD)가 추정하는 우리나라의 경기선행지수(CLI)가 지난해 11월까지 석 달 연속 상승한 것으로 이달 발표되면서 경기 회복에 대한 기대감을 키웠습니다.

 

지난해 두 차례 금리인하와 더불어 올해 재정지출의 효과를 지켜볼 시간도 필요한 상황입니다. 한은은 지난해 7월과 10월 두 차례 인하를 단행해 역대 최저수준까지 기준금리를 내렸다. 통화정책 효과가 실물경기로 전해지기까지 통상 2~3분기의 시차가 필요한 만큼 금통위는 금리인하 효과를 지켜볼 가능성이 큽니다.

 

이번 금리동결은 정부와의 정책 공조 차원에서 단행된 것으로 보는 시각도 많습니다. 문재인 대통령은 지난 7일 신년사를 통해 "부동산 투기와의 전쟁에서 결코 지지 않을 것"이라고 말한 데 이어 14일 신년 기자회견에서 부동산 가격 원상회복 등 추가 대책을 시사했습니다.

 

이러한 상황에서 당장 1월부터 금리를 인하하면 금융안정 측면에서 정책공조가 어긋나는 인상을 줄 수 있기 때문입니다.

 

그러나 한은의 추가 금리인하 가능성은 여전히 열려있다는 관측입니다. 경기 회복세가 아직 가시화된 것은 아니기 때문입니다. 한은이 제시한 올해 성장률은 2.3%로 지난해(2.0%)보다는 높을 것으로 전망되고 있지만 잠재성장률(2.5~2.6%) 수준에는 못 미칩니다.

 

뚜렷한 경기 반등세의 기미가 보이지 않을 경우 한은이 올 한 차례 추가 금리인하에 나설 것이라는 전망도 나오고 있습니다.

 

이날 한은이 금리를 동결하면서 시장의 관심은 2월로 넘어가게 됐습니다. 인하를 주장하는 소수의견이 2명 나올 경우 2월 인하에 대한 기대감이 증폭될 것으로 전망됩니다. 또 오는 22일 발표될 지난해 4분기·연간 성장률의 결과에 따라 올해 통화정책 흐름도 가늠할 수 있을 것으로 예상됩니다.

 

상반기 중 금리결정 회의는 2월 27일과 4월 9일, 5월 28일 세 차례를 남겨놓고 있습니다. 4월에는 금통위원 4명의 임기가 종료됩니다.

 

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박민지 기자 freshmj@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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