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윤종원 IBK기업은행장, 취임 27일 만에 내일 ‘첫 출근’...노사갈등 종료

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Tuesday, January 28, 2020, 15:01:51

노조 ‘낙하산 행장’ 반대 투쟁 중단..희망퇴직 문제 해결 등 인사 제도개선 약속 받아내

 

인더뉴스 박민지 기자ㅣ윤종원 IBK기업은행장이 임명 27일만에 오는 29일 서울 을지로 본점으로 출근합니다. 여당인 더불어민주당 이인영 원내대표가 윤 행장 임명 논란에 유감을 표명하면서 기업은행 노조가 ‘낙하산 행장’ 반대 출근 저지 투쟁을 풀기로 했습니다.

 

28일 IBK기업은행은 윤 행장이 설 연휴 중 노사합의를 이뤄 오는 29일부터 정상 출근할 예정이라고 밝혔습니다. 기업은행 노조는 본점 로비에 윤 행장 농성장을 마련하고, 아침마다 그의 출근 저지 투쟁을 벌였습니다. 2013년 이건호 전 KB국민은행장(14일)을 넘어서는 금융권 최장 행장 출근 저지 기록을 남기게 됐습니다.

 

노조는 지난 대선에서 금융노조와 맺었던 '낙하산 인사 근절' 약속을 깬 정부와 여당이 윤 행장 임명에 대해 사과를 표명하고 재발 방지 대책을 마련해야 한다고 요구해왔습니다.

 

평행선을 달리던 노조와 사측·당정이 극적인 합의를 이룬 것은 지난 설 연휴 기간 동안 이어진 물밑협상에서 이인영 민주당 원내대표의 공식적인 유감 표명과 행장 선임에 관한 제도 개선 추진 등을 약속했기 때문으로 알려졌습니다.

 

이 원내대표는 오전 민주당 원내대책회의에서 윤 행장 임명 논란에 대해 “선임 과정에서 소통과 협의가 부족하다는 지적이 있었다”며 “민주당을 대표해 매우 유감스럽게 생각한다”고 밝혔습니다.

 

이어 “기업은행 노사가 합의한 임원선출 과정의 투명성·공정성 확보와 제도 개선을 위해 더 책임있게 임하고 함께 노력할 것을 약속드린다”며 “한국노총과 금융노조와의 변함없는 연대 의지를 요청하며 이번 총선에서도 더불어민주당과 함께해줄 것을 요청한다”고 말했습니다.

 

이번 협의 결과인 노사 공동 선언문에는 ▲희망퇴직 문제 해결 ▲정규직 전환 직원 정원통합 ▲임원 선임절차의 투명성‧공정성 개선 ▲노조추천이사제 추진 ▲인병 유직 확대 등의 내용이 담겼습니다.

 

이에 따라 IBK기업은행 노조는 윤종원 행장의 출근 저지 투쟁을 종료하기로 했습니다. 김형선 IBK기업은행 지부위원장은 잘못을 인정하고 변화를 다짐한 정부와 여당에 용서와 감사의 뜻을 전한다고 밝혔습니다.

 

노조와의 갈등이 봉합됨에 따라 윤 행장은 서울 종로구 금융연수원에 마련된 임시 집무실에서 업무를 마치고 오는 29일 오전 본점에서 취임식을 한 후 정상 업무에 들어갈 예정입니다.

 

윤종원 행장은 “열린 마음과 지속적인 대화를 통해 이번 사태를 풀 수 있었다”며 “비 온 뒤에 땅이 굳듯이 IBK기업은행이 발전할 수 있도록 노사 모두 마음을 열고 함께 노력할 것”이라고 말했습니다.

 

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박민지 기자 freshmj@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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