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정몽구 현대차 회장, 헨리 포드와 어깨 나란히...車 명예의 전당 헌액

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Friday, February 07, 2020, 09:02:50

글로벌 자동차산업 발전에 기여..앞서 에디슨·포드·벤츠·토요타 등 수상
“정 회장은 현대차그룹 성공 반열 올린 업계의 리더”..오는 7월 시상식

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ정몽구 현대자동차그룹 회장이 글로벌 자동차산업 최고 권위의 상을 수상했습니다. 정 회장은 한국인 최초로 미국 ‘자동차 명예의 전당’에 헌액됐는데요. 토마스 에디슨, 헨리 포드, 칼 벤츠 등 자동차 역사에 뚜렷한 발자취를 남긴 인물들과 어깨를 나란히 하게 됐습니다.

 

현대차그룹은 정 회장이 ‘자동차 명예의 전당’ 헌액으로 세계 자동차 산업에서의 공로를 인정받게 됐다고 7일 밝혔습니다. 앞서 정 회장은 지난 2001년 자동차 명예의 전당으로부터 '자동차산업 공헌상'을 수상한 바 있습니다.

 

1939년 설립된 미국 자동차 명예의 전당은 ‘명예의 전당 헌액’을 비롯해 올해의 업계 리더상, 자동차산업 공헌상, 젊은 리더십 및 우수상 부문에서 수상자를 매년 선정하고 있습니다. 미래차 산업이 크게 발달하면서 올해부터 ‘모빌리티 혁신상’도 추가됐습니다.

 

자동차 명예의 전당이 수여하는 상 가운데 ‘명예의 전당 헌액’은 가장 권위있고 영예로운 상으로 꼽히는데요. 뛰어난 성과와 업적을 바탕으로 자동차산업과 모빌리티 발전에 기여한 인물을 엄선해 수여하고 있습니다.

 

 

역대 주요 수상자로는 1967년 포드 창립자 헨리 포드, 1969년 발명가 토마스 에디슨, 1984년 벤츠 창립자 칼 벤츠, 1989년 혼다 창립자 소이치로 혼다, 2018년 토요타 창립자 키이치로 토요타 등이 있습니다. 올해 수상자들에 대한 시상식은 오는 7월 디트로이트에서 열릴 예정입니다.

 

자동차 명예의 전당 측은 “정 회장은 현대차그룹을 성공의 반열에 올린 업계 리더”라며 “기아차의 성공적 회생, 글로벌 생산기지 확대, 고효율 사업구조 구축 등 수 많은 성과는 자동차산업의 전설적 인물들과 어깨를 나란히 한다”고 설명했습니다.

 

한편 정 회장은 대한민국 재계를 대표하는 경영인으로, 2010년 현대·기아차를 글로벌 톱 5업체로 성장시킨 장본인입니다. 현대·기아차는 글로벌 주요 시장에 현지 공장을 건설하며 자동차 업체 중 유례없는 빠른 성장을 거듭해왔습니다.

 

정 회장의 이 같은 경영성과와 리더십은 세계 곳곳에서 인정받고 있는데요. 2004년 ‘비즈니스 위크’ 최고 경영자상, 2005년 ‘오토모티브뉴스’ 자동차 부문 아시아 최고 CEO상, 2009년 미국 ‘코리아 소사이어티’ 밴 플리트상, 2012년 ‘하버드 비즈니스 리뷰’ 세계 100대 최고 경영자상 등이 대표적입니다.

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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