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라임자산운용, 환매 중단 사모펀드 1조 반토막

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Friday, February 14, 2020, 16:02:17

증거금보다 편입자산 가치 낮은 펀드 납입자금 전액 손실 가능성

 

인더뉴스 신재철 기자ㅣ라임자산운용의 환매 중단 펀드 1조 6000억원중 1조원 가량이 반토막이 났습니다.

 

라임자산운용은 14일 보도자료를 통해 이달 18일 기준 2개 모(母)펀드의 전일 대비 평가금액이 '플루토 FI D-1호'(작년 10월 말 기준 9373억원)는 -46%, '테티스 2호'(2424억원)는 -17% 수준으로 조정됐다고 밝혔습니다.

 

이번 기준가격 조정은 지난 10일 삼일회계법인으로부터 받은 펀드 회계실사 내용을 바탕으로 집합투자재산평가위원회를 열어 평가한 결과입니다.

 

F1 D-1호의 기초자산 예상회수율 범위는 50~68%입니다. 기초자산 1억 2337억원 중 회수추정금액 범위는 6222억원에서 8414억원으로 산정됐습니다.

 

라임테티스 전문투자형 사모투자신탁 2호는 기초자산 2931억원 중 회수추정금액 범위는 1692억원에서 2301억원으로 산정됐습니다. 테티스 2호의 예상회수율 범위는 58~79%입니다.

 

라임의 환매 중단 펀드는 설정된 모(母)펀드에 100여개 자(子)펀드가 연계된 ‘모자형 펀드’구조를 취하고 있습니다. 따라서 각 자펀드의 손실률에는 차이가 있습니다.

 

 

특히 TRS 투자 여부에 따라 펀드별 손실률 규모는 각각 다른데요. 적게는 0.4%에서부터 일부 펀드는 투자금 전액손실이 예상됩니다.

 

▲라임 AI 스타 1.5Y 1호 ▲라임 AI 스타 1.5Y 2호 ▲라임 AI 스타 1.5 Y 3호 펀드는 모펀드 기준가격 조정에 따라 전액손실이 발생이 예상됩니다. 이 펀드들의 기준가격 하락이 크게 나타난 이유는 TRS를 사용한 레버리지 비율이 100%였기 때문입니다

 

현재 증거금보다 편입자산의 가치가 더 하락해 펀드 납입자금이 전액 손실될 가능성이 있습니다.

 

모펀드와 개별 자산을 같이 편입하고 있는 자펀드의 경우 모펀드 기준가격 조정과 개별 자산 기준가격 조정을 같이 반영하게 되는데요. 여기에 총수익스와프(TRS)를 사용한 자펀드의 경우 레버리지 비율만큼 증대돼 기준가격을 조정하게 됩니다

 

개별 자산만 편입하고 있는 경우는 개별 자산 가격 조정만 반영하게 되고 TRS 사용 여부에 따라 반영 정도에 차이가 발생합니다. 개별 자산을 편입한 자펀드의 경우는 편입한 개별 자산별로 차이가 발생하는데 TRS 사용 여부에 따라 편차가 크게 나타납니다.

 

이들 자펀드의 수익률은 현재로서는 추정하기가 어려워 편입한 개별 자산까지 순차적으로 가격조정이 반영되면 확인하실 수 있습니다.

 

모펀드의 기준가격 조정에 따른 자펀드의 기준가격 조정은 14일부터 시작해서 오는 21 일까지 순차적으로 반영됩니다. 조정된 기준가격은 판매사를 통해 확인하라고 안내했습니다.

 

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신재철 기자 jc@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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