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SK텔레콤, 양자암호스위칭 기술 개발...국제표준화 진두지휘

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Friday, June 28, 2019, 15:06:42

IDQ 등과 국책 과제로 양자암호키 전송 경로 바꾸는 기술 구축
ITU-T 적극 참여해 표준제정 앞장서..글로벌 양자 생태계 선두

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ SK텔레콤이 차세대 보안기술인 양자암호 분야에서 전 세계를 이끌고 있다. 표준제정에도 앞장서 참여하며 기술 생태계 구축을 진두지휘하는 모습이다.

 

SK텔레콤은 양자정보통신 전문기업 ‘아이디 퀀티크(IDQ·ID Quantique)’ 등과 ‘정보통신기획평가원(IITP)’이 추진한 양자암호시험망 국책 과제 ‘양자암호통신망 구축을 통한 신뢰성 검증 기술 및 앙자키 분배 고도화를 위한 핵심 요소 기술 개발’을 완료했다고 28일 밝혔다.

 

SK텔레콤이 이번에 개발한 기술은 양자암호키 ‘스위칭’이다. 이는 한쪽 통신망에 장애 생겼을 때 다른 방향으로 양자암호키를 전송하는 기술이다.

 

 

여러 네트워크가 연결되는 장비에 양자암호키 ‘라우팅’ 기능 적용하는 데에도 성공했다. 라우팅은 여러 경로 중 한 가지를 설정해 주는 기능이다. 양자암호키가 전송되는 경로를 자유롭게 설정할 수 있다.

 

올해 SK텔레콤은 국내에서 가장 긴 362㎞ 규모 8자형 시험망에 양자암호기술을 적용했다. 회사 관계자는 “이번 기술 개발은 모든 구조의 네트워크망에 양자암호기술을 적용해 우수한 보완성을 확보할 수 있게 됐다는 의미가 있다”고 말했다.

 

SK텔레콤은 세계에서 양자암호통신 관련 국제표준화 과제를 4건 이상 수행하는 유일한 기업이다. 국제전기통신연합 전기통신표준화 부문(ITU-T)에 있는 통신 보안 관련 전문 연구 그룹 SG-17에서 ▲양자키 분배 ▲양자난수발생기 관련 과제 4건을 진행하고 있다.

 

또한 지난 17일부터 28일까지 진행되는 ITU-T 미래 네트워크 관련 연구 그룹 SG-13에서 양자암호통신 기술을 발전시키고 있다. 이번에는 국제표준화 작업을 진행중인 ‘양자암호통신 네트워크 프레임워크’에 표준에 반영될 내용을 통과시켰다.

 

구체적으로 ▲양자암호통신 네트워크와 기존 통신 네트워크 연결 시 암호화 키 요청과 전달 신뢰도 측면 고려 사항 ▲양자암호통신 장비 재기동 시 자동 운영 관련 내용 등이다. SK텔레콤은 SG-13 내 국제표준화 작업에서 기고문 6개를 올리며 가장 많은 기고문을 제출한 기업이 됐다.

 

박진효 SK텔레콤 ICT기술센터장은 “SK텔레콤은 글로벌 사업자와 양자암호 생태계 조성에 협력하고 있다”며 “앞으로도 ITU-T를 중심으로 양자암호 글로벌 표준화에 함께해 표준의 완성도를 높일 것”이라고 밝혔다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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