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2차 행복주택 입주자 모집...“저렴한 임대료로 창업의 꿈 키우세요”

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Wednesday, June 26, 2019, 12:06:04

7월 11일부터 청약 접수…일자리 연계형 지원주택 3곳 등 전국 10곳 4640호 모집

 

[인더뉴스 진은혜 기자] 정부가 2차 행복주택 입주자를 모집한다. 이번 2차 모집에서는 입주 청년의 창업을 독려하고, 근로자의 주거불안을 해소하기 위해 일자리 연계형 지원주택 3곳이 포함된다.

 

국토교통부는 7월 11일부터 18일까지 8일간 행복주택 총 10곳 4640호에 대한 청약 신청을 받는다고 26일 밝혔다. 올해 입주자를 모집하는 행복주택은 총 110곳 2만 6000호로 분기별로 4회에 걸쳐 입주자를 모집한다.

 

이번 입주자 모집은 지난 1차 모집에 이어 두 번째다. 방배3 등 총 41곳 6483호에 대한 입주자를 모집한 지난 1분기의 경우 2만 8825명이 청약을 신청해 평균 경쟁률 4.4대 1을 기록한 바 있다. 이번 분기 모집지구는 수도권 5곳(2829호)과 지방 5곳(1811호)이다.

 

구체적으로 수도권은 ▲판교제2테크노밸리(200호) ▲안성아양(699호) ▲인천영종(450호) ▲파주운정(580호) ▲화성동탄2(900호) 등 5곳, 지방권은 ▲부산좌동(100호) ▲충주호암(550호) ▲아산탕정2(740호) ▲군산신역세권(400호) ▲광주쌍촌(21호) 등 5곳이다.

 

이번에 입주자를 모집하는 행복주택에는 ‘일자리 연계형 지원주택 추진방안’에 따라 창업지원주택 2곳과 산업단지형 행복주택 1곳이 포함돼 있다.

 

창업지원주택은 청년 창업인의 주거공간과 창업지원시설을 결합한 공공임대주택이다. 세대 내에 독립적인 업무공간과 층별 공용 소회의실 등 특화시설이 마련돼 있다. 무주택세대구성원인 만 19~39세 청년 (예비)창업가는 누구나 청약 신청을 할 수 있다.

 

이번에 공급되는 곳은 판교 제2테크노밸리와 부산좌동 2곳이다. 특히 판교 제2테크노밸리는 기업지원허브·기업성장센터 등 창업인을 위한 복합공간과 가깝다. 또한 판교 제2테크노밸리 입주자는 최저 보증금 5000만원, 월 임대료 21.5만원에 행복주택에 거주할 수 있다.

 

산업단지형 행복주택은 주거기반이 취약한 국가·지방산단 인근에 공급되는 공공임대주택이다. 산업단지형 행복주택은 단지 근로자의 주거불안을 제거하기 위해 주로 산업단지 기업보다 우선 입주한다. 무주택세대구성원인 산업단지 근로자는 연령에 상관없이 입주할 수 있다.

 

이번에 공급되는 곳은 안성아양 지구는 공급물량의 50%를 산업단지 근로자에게 우선 공급한다. 입주하는 산업단지 근로자는 최저 보증금 1200만원, 월 임대료 6만원에 행복주택에 거주할 수 있다.

 

국토부 관계자는 “올 하반기에도 도심 공공청사의 입지를 활용한 노후청사 복합개발(오류1동주민센터), 국공립어린이집·맘스라운지 등 육아 편의시설을 갖춘 신혼특화단지(동탄호수공원) 등 59곳 약 1만 5000호에 입주자를 모집해 젊은층의 주거복지를 위해 노력하겠다”고 전했다.

 

한편, 청약 접수 기간은 7월 11일부터 18일까지다. 한국토지주택공사 홈페이지나 한국토지주택공사 청약센터 모바일앱을 통해 접수할 수 있다.

 

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진은혜 기자 eh.jin@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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